GaN HEMT器件非合金欧姆接触的制作方法

摘要

本发明提供了一种GaN HEMT器件非合金欧姆接触的制作方法。其包括在Si衬底上依次形成GaN缓冲层、GaN沟道层和AlGaN势垒层；在AlGaN势垒层表面沉积SiO₂介质，并在SiO₂介质上覆盖掩膜层，采用光刻工艺在掩膜层上形成欧姆接触区域和非欧姆接触区域，其中，欧姆接触区域位于非欧姆接触区域两侧；对露出在欧姆接触区域内的SiO₂介质进行刻蚀，以形成嵌入GaN沟道层内部的沟槽；在沟槽中生长n+GaN掺杂层；去除掩膜层和SiO₂介质；在欧姆接触区域和非欧姆接触区域上沉积与GaN材料的功函数对应的欧姆接触金属层。本发明能够避免高温退火对GaN晶格带来的损伤。

主权项

一种GaN HEMT器件非合金欧姆接触的制作方法，其特征在于，包括：在Si衬底上由下而上依次形成GaN缓冲层、GaN沟道层和AlGaN势垒层，其中，所述GaN沟道层和AlGaN势垒层之间形成有二维电子气；在所述AlGaN势垒层表面沉积SiO₂介质，并在所述SiO₂介质上覆盖掩膜层，采用光刻工艺在所述掩膜层上形成欧姆接触区域和非欧姆接触区域，其中，所述欧姆接触区域位于所述非欧姆接触区域两侧；对露出在所述欧姆接触区域内的SiO₂介质进行刻蚀，以形成嵌入所述GaN沟道层内部的沟槽；在所述沟槽中生长n+GaN掺杂层；去除所述掩膜层和所述SiO₂介质；在所述欧姆接触区域和所述非欧姆接触区域上沉积与GaN材料的功函数对应的欧姆接触金属层。