一种压力计芯片结构及其制备方法

摘要

本发明公开了一种压力计芯片结构及其制备方法，该结构相比传统典型结构具有尺寸小，稳定性好、抗过载能力强和长期可靠性高等突出优势。此外针对该芯片结构开发的工艺流程与常规微纳加工技术兼容，器件加工成本低廉，芯片可实现较高的一致性。这种方法加工的压力计芯片具有更高的长期工作稳定性和抗过载破坏性能、较高的工艺可靠性，更小的芯片尺寸和成本以及更广阔的应用领域。

主权项

一种压力计芯片结构，包括：压敏电阻、重掺杂接触区、金属引线、金属电极、硅片、硅片键合面介质层、硅应变膜、玻璃片，所述硅片上制作有浅槽，所述浅槽所在的面为硅片键合面，所述压敏电阻位于所述浅槽的底部，所述重掺杂接触区位于所述浅槽的底部和侧壁以及所述硅片键合面的表面，其上覆有硅片键合面介质层，所述硅片键合面介质层上开有引线孔，与金属引线相连接，所述金属引线和金属电极均位于所述硅片键合面介质层上，所述重掺杂接触区连接所述压敏电阻至金属引线上，所述金属引线另一端连接金属电极，所述硅片键合面与所述玻璃片键合形成密封的空腔，所述硅应变膜为减薄后的硅片非键合面在空腔区域形成的硅膜。