发明名称 |
石墨烯纳米带负载半导体的三维光催化材料的制备方法 |
摘要 |
本发明涉及石墨烯纳米带负载半导体的三维光催化材料的制备方法,将二氧化钛前驱体溶解于过氧化氢与氨水混合溶液中,搅拌至溶液黄色澄清,加入氮化碳,待溶液浑浊,离心洗净,再加入去离子水和经过超声处理的石墨烯纳米带,搅拌后于反应釜中反应,再经过离心、洗净、烘干处理后,于氮气氛围下煅烧,即得到石墨烯纳米带负载的半导体三维光催化材料。与现有技术相比,本发明,制备工艺简单,有效提高了催化剂的活性和光催化性能,石墨烯纳米带的加入,使得该材料在可见光区域有了明显的响应。 |
申请公布号 |
CN105536840A |
申请公布日期 |
2016.05.04 |
申请号 |
CN201510898403.7 |
申请日期 |
2015.12.08 |
申请人 |
上海电力学院 |
发明人 |
闵宇霖;周凡琪;李涛涛 |
分类号 |
B01J27/24(2006.01)I;B01J23/31(2006.01)I |
主分类号 |
B01J27/24(2006.01)I |
代理机构 |
上海科盛知识产权代理有限公司 31225 |
代理人 |
陈亮 |
主权项 |
石墨烯纳米带负载半导体的三维光催化材料的制备方法,其特征在于,该方法采用以下步骤:将二氧化钛前驱体溶解于过氧化氢与氨水混合溶液中,搅拌至溶液黄色澄清,加入氮化碳,待溶液浑浊,离心洗净,再加入去离子水和经过超声处理的石墨烯纳米带,搅拌后于反应釜中,控制温度为140‑180℃,反应16‑24h,再经过离心、洗净、烘干处理后,于氮气氛围下,控制温度为400‑600℃煅烧2‑5h,即得到石墨烯纳米带负载半导体三维光催化材料。 |
地址 |
200090 上海市杨浦区平凉路2103号 |