发明名称 石墨烯纳米带负载半导体的三维光催化材料的制备方法
摘要 本发明涉及石墨烯纳米带负载半导体的三维光催化材料的制备方法,将二氧化钛前驱体溶解于过氧化氢与氨水混合溶液中,搅拌至溶液黄色澄清,加入氮化碳,待溶液浑浊,离心洗净,再加入去离子水和经过超声处理的石墨烯纳米带,搅拌后于反应釜中反应,再经过离心、洗净、烘干处理后,于氮气氛围下煅烧,即得到石墨烯纳米带负载的半导体三维光催化材料。与现有技术相比,本发明,制备工艺简单,有效提高了催化剂的活性和光催化性能,石墨烯纳米带的加入,使得该材料在可见光区域有了明显的响应。
申请公布号 CN105536840A 申请公布日期 2016.05.04
申请号 CN201510898403.7 申请日期 2015.12.08
申请人 上海电力学院 发明人 闵宇霖;周凡琪;李涛涛
分类号 B01J27/24(2006.01)I;B01J23/31(2006.01)I 主分类号 B01J27/24(2006.01)I
代理机构 上海科盛知识产权代理有限公司 31225 代理人 陈亮
主权项 石墨烯纳米带负载半导体的三维光催化材料的制备方法,其特征在于,该方法采用以下步骤:将二氧化钛前驱体溶解于过氧化氢与氨水混合溶液中,搅拌至溶液黄色澄清,加入氮化碳,待溶液浑浊,离心洗净,再加入去离子水和经过超声处理的石墨烯纳米带,搅拌后于反应釜中,控制温度为140‑180℃,反应16‑24h,再经过离心、洗净、烘干处理后,于氮气氛围下,控制温度为400‑600℃煅烧2‑5h,即得到石墨烯纳米带负载半导体三维光催化材料。
地址 200090 上海市杨浦区平凉路2103号