发明名称 混合式存储器架构
摘要 用于提供具有易失性和非易失性存储器的混合式存储器模块来替代处理系统中的DDR通道的方法和装置。
申请公布号 CN105550125A 申请公布日期 2016.05.04
申请号 CN201510895740.0 申请日期 2010.11.29
申请人 英特尔公司 发明人 K·K·钦纳斯瓦密;R·B·奥斯本;E·W·彼得
分类号 G06F12/0866(2016.01)I 主分类号 G06F12/0866(2016.01)I
代理机构 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人 张东梅
主权项 一种装置,包括:混合式存储器模块,所述混合式存储器模块包括DRAM和非易失性存储器。
地址 美国加利福尼亚州