发明名称 |
READ/WRITE ASSIST FOR MEMORIES |
摘要 |
집적 회로는, 하나 또는 그 초과의 비트 셀들, 하나 또는 그 초과의 비트 셀들에 커플링되는 워드 라인, 및 워드 라인과의 사이에 커패시턴스를 갖도록 워드 라인과 배열되는 더미 워드 라인을 포함한다. 커패시턴스는 판독 및 기입 동작들을 보조하기 위해 워드 라인의 전압 부스트 또는 감소를 제공한다. |
申请公布号 |
KR20160049054(A) |
申请公布日期 |
2016.05.04 |
申请号 |
KR20167010724 |
申请日期 |
2014.09.24 |
申请人 |
QUALCOMM INCORPORATED |
发明人 |
GULATI CHIRAG;SINHA RAKESH KUMAR;CHABA RITU;YOON SEI SEUNG |
分类号 |
G11C11/419;G11C8/08;G11C8/14;H01L27/11 |
主分类号 |
G11C11/419 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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