发明名称 READ/WRITE ASSIST FOR MEMORIES
摘要 집적 회로는, 하나 또는 그 초과의 비트 셀들, 하나 또는 그 초과의 비트 셀들에 커플링되는 워드 라인, 및 워드 라인과의 사이에 커패시턴스를 갖도록 워드 라인과 배열되는 더미 워드 라인을 포함한다. 커패시턴스는 판독 및 기입 동작들을 보조하기 위해 워드 라인의 전압 부스트 또는 감소를 제공한다.
申请公布号 KR20160049054(A) 申请公布日期 2016.05.04
申请号 KR20167010724 申请日期 2014.09.24
申请人 QUALCOMM INCORPORATED 发明人 GULATI CHIRAG;SINHA RAKESH KUMAR;CHABA RITU;YOON SEI SEUNG
分类号 G11C11/419;G11C8/08;G11C8/14;H01L27/11 主分类号 G11C11/419
代理机构 代理人
主权项
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