| 主权项 |
1.一种荷负电、不连续之自含容电子束(简称EV),通常未经正离子予以补位,所具密度接近一固体之平均电荷密度,约每立方公分10^23电子电荷,系由于一阴极及一阳极间所施加之电场而产生,且大致不含其他之放电生成物;或为:多数此种电子束连接在一起成为串键。2.一种用以产生EV之系统,包含:用以产生电气放电之装置,该电气放电包括EV及一或更多由正离子、负离子、电子、中性粒子、质子、以及其组合形式所成集团中选出之粒子;以及用以将所述EV与所述各种粒子分离之装置。3.一种产生EV之装置,包含一导电阴极以及一与所述阴极隔离之第二导电极。4.如申请专利范围第3项之装置,倘包含置于所述阴极与所述第二导置极间之大致平坦介电材料,而且其中所述阴极包含一在其一侧上而向所述分置材料之尖突金属构件,而所述第二电极包含一在与所述阴极相背之所述介电材料侧面上之平面构件。5.如申请专利范围第4项之装置,其中所述尖突阴极包含一用导电材料润湿之大致圆锥形末端。6.如申请专利范围第4项之装置,尚包含一金属材料储存库供润湿所述阴极锥体末端。7.如申请专利范围第3项之装置,尚包含在所述阴极与所述第二电极间大致平坦介电材料,而且其中所述阴极包含一在所述介电材料一例上之平面阴极,而所述第二阴极系置于所述介电材料之反侧上。8.如申请专利范围第7项之装置,尚包含一分离器,包括一置于所述介电材料上所述平面阴极上方之介电构件,以及一在所述介电构件上伸向所述大致平坦介电材料之第三导电极。9.如申请专利范围第7项之装置,尚包含一至少部份封闭之结构作为所述介电材料中用以藏置所述平面阴极并供接收及导引所述EV之部份。10.如申请专利范围第9项之装置,其中所述导引衍造包含一用以界定一至少部份封闭之EV导引路径之大致长形构造。11.如申请专利范围第10项之装置,尚包含一至少将所述长封闭件蔽覆之介电材质盖。12.如申请专利范围第10项之装置,其中所述用以产生Ev之装置为一选择器之一部份,尚包含:(1)一第二大致长形导引构造,与介于所述阴极与所述第二电极间之所述第一导引构造相交成一锐角;(2)沿所述第二导引构造置放之第三导它极;以及(3)至少为一之抽取电极,于与所述阴极相背之所述相交侧上,大致沿所述第一导引构造置放;(4)其中施加于所述第三电极之电压将EV吸至其上,而施加于所述至少为一之抽取电极上之电压使于选定EV沿所述第一导引构造传播于所述交会处外方。13.如申请专利范围第7项之装置,其中所述阴极包含润湿次结构材料用之导电材料。14.如申请专利范围第7项之装置,其中EV系藉无热离子发射之电场发射由所述装置产生。15.如申请专利范围第7项之装置,尚包含一在所述介电材料上与所述第二电极同侧,介于所述阴极与所述第二电极间之控制电极。16.如申请专利范围第15项之装置,其中所述阴极包含润湿次结构材料用之导电材料。17.如申请专利范围第15项之装置,尚包含一至少部份封闭之结构作为所述介电材料中用以藏置所述平面阴极并供接收及导引所述Ev之部份。18.如申请专利范围第15项之装置,尚包含一大致位于所述第二电极附近之反馈电极。19.如申请专利范围第18项之装置,其中所述阴极包含润湿次结构材料用之导电材料。20.如申请专利范围第18项之装置,其中Ev系藉无热离子发射之电场发射由所述装置产生。21.如申请专利范围第20项之装置,尚包含一至少部份封闭之结构作为所述介电材料中用以藏置所述平面阴极并接收及导引所述Ev之部份。22.如申请专利范围第18项之装置,尚包含一至少部份封闭之结构作为所述介电材料中用以藏置所述平面阴极并接收及导引所述EV之部份。23.如申请专利范围第3项之装置,其中所述阴极及所述第二电极系由一开放空间隔推,尚包含将所述空间封闭俾控制其中环境之装置。24.如申请专利范围第23项之装置,其中所述将所述空间封闭之装置包含管系(tubing)。25.如申请专利范围第23项之装置,其中所述经控制之环境包含低压气体。26.如申请专利范围第23项之装置,其中所述经控制之环境包含至少一部份真空。27.如申请专利范围第23项之装置,其中所述阴极包含一具有较尖锐末端之大致柱状构造。28.如申请专利范围第27项之装置,其中所述阴极系用一由第电材料储存库所供应之导电材料加以润湿。29.如申请专利范围第27项之装置,其中所述阴极构造大致为管,而所述管状构造之壁斜削以使所述尖锐末端形如一圆,所述储存库系在所述管状构造内部而所述导电材料以之润湿所述阴极之内部。30.如申请专利范围第27项之装置,其中所述阴极构造包含一提供所述较尖锐末端之锥形推拔,而所述阴极由一表面环绕以界定介于所述表面与所述阴极间之环形空间而提供所述储存库。31.如申请专利范围第3项之装置,其中所述阴极与所述第二电极系由一开放空间隔离,所述阴极包含一具有形成较尖锐末端之锥形推拔之柱状对称构件,尚且包含一大致管状之介电构件与所述阴极至少部份环接而提供一介于所述阴极与所述第二电极间之空隙,并提供一第三导电材质电极大致环绕所述阴极末端与所述空隙间之路径且由所述介电材质称件隔离。32.如申请专利范围第3项之装置,其中所述阴极包含润湿次结构材料用之导电材料。33.如申请专利范围第32项之装置,其中所述阴极大致为平坦。34.如申请专利范围第32项之装置,其中所述阴极尚包含一大致柱状之构造,具有一锥形推拔而提供较尖锐之末端。35.如申请专利范围第34项之装置,尚包含一大致环绕所述阴极之表面以界定一介于所述表面与所述阴极间之环形空间而提供一所述导电材料储存库。36.如申请专利范围第32项之装置,其中所述阴极尚包含一大致管状之构造而所述管状构造之壁斜削以形成形如一圆之较尖锐末端。37.如申请专利范围第36项之装置,其中所述管状构造之内部提供一所述导电材料储存库以之润湿所述阴极之内部。38.如申请专利范出第3项之装置,其中所述装置系在一低压气缸环境内。39.如申请专利范围第3项之装置,其中所述装置系至少为部份真空。40.如申请专利范围第3项之装置,尚包含一封套形介电材料,所述阴极及所述第二电极系置于所述封套外部而使EV产生于所述封套内部。41.如申请专利范围第40项之装置,尚包含一在所述套对内之孔隙,部份界定所述封套内部之二空室供每一所述空室内之经控制环境使用。42.如申请专利范围第41项之装置,其中所述第二电极至少部份为大致环绕所述封套之所述孔隙。43.如申请专利范围第41项之装置,其中:(1)所述阴极系在所述封套之一末端;(2)所述第二电极至少部份环绕所述封套;而(3)有一第三电极置于所述第二电极外方供操纵EV用。44.如申请专利范围第40项之装置,其中:(1)所述阴极在所述封套之一末端;(2)所述第二电极至少部份环绕所述封套;而(3)有一第三电极置于所述第二电极外方供操纵EV用。45.如申请专利范围第3项之装置,其中所述阴极包含一在圆锥形尖突介电材料上之导电外表面,而所述阴极与所述介电材料之尖点分维;所述第二电极包含在所述介电材料内部与所述圆锥形介电材料及所述阴极对称之圆锥形金属表面,并进一步包含与所述阴极及所述第二宦极相维之柱状对称第三电极,如此则由所述阴极产生之EV可横过于所述阴极与所述第三电极内区域间之空隙。46.如申请专利范围第3项之装置,尚包含一选择器以自多数所产生之EV中选择抽取EV。47.如申请专利范围第3项之装置,尚包含一选择器以自产生EV之同时所生成电浆放电生成物中抽取EV。48.如申请专利范围第3项之装置,其中所述第二电极包含一标靶,可在受EV撞击时发射在X光范围内之电磁射线。49.如申请专利范围第48项之装置,尚包含一选择器以自产生EV之同时所生成电浆放电生成物中抽取EV。50.如申请专利范围第3项之装置,尚包含导引所述装置所产生EV之总传播方向之装置。51.如申请专利范围第3项之装置,其中所述装置包含用以产生电压脉冲之装置。52.如申请专利范围第51项之装置,其中所述电压脉街产生装置包含一输出电极,在EV到达所述第二电极时于其上产生脉冲。53.如申请专利范围第52项之装置,尚包含一EV发射器以接收所述输出脉冲并产生EV。54.如申请专利范围第3项之装置,尚包含一邻近所述阴极与所述第二电极分隔处之导电构件,所述构件经安排成一阵列,如此当Ev由所述阴极向所述第二电极传播时重复通过所述构件之各个部份,从而以电磁射线之形式将能量转移至所述构件。55.如申请专利范围第3项之装置,尚包含:(1)一通体有孔之分电质长槽;(2)所述阴极,通往所述槽之内部;(3)所述第二电极,通体沿所述指置放回;以及(4)所述装置之环境,由经过所述槽之分电材料选择式泄入所述槽内之气体加以控制。56.如申请专利范围第3项之装置,尚包含一额外电极及装置,用以选择式改变困选择式施加一电场于所述额外定极所产生EV之总传播方向。57.一种导引EV之装置,包含一介电体,其上具有第一及第二两相对表面并具有一沿所述第一表面用以接收EV及拘限所述EV动作之通道。58.如申请专利范围第57项之装置,其中所述通道包含一长槽。59.如申请专利范围第58项之装置,尚包含在至少一部份所述槽上方之介电盖。60.如申请专利范围第57项之装置,尚包含一在所述介电体之所述第二表面上之电极,用以将电位施于该表面上以至少一部份拘限EV沿所述槽行进。61.如申请专利范围第57项之装置,其中所述通过至少有一部份系由所述介电体之一额外表面与所述第一表面相交成一不大于90之角度所形成。62.如申请专利范围第61项之装置,其中所述介电体包含一第一构件及一与所述构件相接触之第二构件,又所述第一表面包含一所述第一构件之表面而所述额外表面包含一所述第二构件之表面。63.如申请专利范围第57项之装置,其中所述通道之长度可作选择式改变。64.如申请专利范围第57项之装置,其中所述特引装置包含一大致圆柱状之管形介电体。65.如申请专利范围第64项之装置,尚包含一在所述物体之大致柱形外表面上之电极,用以将电位施于该表面上以至少一部份使EV沿所述物体之内部传播。66.如申请专利范围第64项之装置 尚包含一沿所述物体内部仁放之电极,用以将该它位施于该表面上以至少使EV沿所述物体大致柱形外表面传播。67.如申请专利范围第57项之装置,其中所述导引装置包含至少一光反射表面。68.如申请专利范围第57项之装置,其中所述导引装置包含一开关用以使EV之总传播方向作选择式改变。69.如申请专利范围第68项之装置,其中所述开关包含:(1)一中间部份,用以暂时拘限EV;(2)一输入通道,用以导引EV至所述中间部份内;(3)至少为一之输出通道,用以导引发自所述中间部份之EV,以及;(4)至少为一之电极,用以施加电位以选择控制EV向所述输出通道之传播。70.如申请专利范围第69项之装置,尚包含一在所述中间部份上方之介电盖。71.如申请专利范围第69项之装置,尚包含一在至少一所出通道附近之反馈电极,用以接收由所述中间部份所发沿所述输出通道传送之EV之反馈信号。72.如申请专利范围第69项之装置 尚包含一用于至少一所述通道之额外电极,所述额外电极相对于所述通道置放俾施加电位于该通道以至少一部份使EV沿所述通道传播。73.如申请专利范围第57项之装置,其中所述导引装置包含一分裂器,以将EV分成多条路径。74.如申请专利范围第73项之装置,其中所述分裂器包含一介电体,其表面上至少有二相交通道以使到达该等通道交会处之EV可继续沿所述至少为二之所述通道中至少一通道传播。75.如申请专利范围第74项之装置,其中所述通道均包含长槽。76.如申请专利范围第74项之装置,其中至少一所述通道系至少部份由所述介电体之二表面相交成不大于90之角度所形成。77.如申请专利范围第74项之装置,其中至少有一所述通道之长度可作选择式改变,该通道为让EV在通过所述交口后沿其传播。78.如申请专利范围第57项之装置,其中所述导引装置包含至少一可供EV传播之导电物体,如此则介于所述EV与所述物体间之电感及电容相交作用倾向于保持所述EV于一总方向上传播。79.如申请专利范围第78项之装置,其中:(1)所述导引装置尚包含一出多数此种导电物体所成阵列,沿所述总方向彼此相隔离而排列;而(2)此一导电物体包含一多极构件,以使EV在沿所述总方向传播时至少通过此一物体之二极。80.如申请专利范围第78项之装置,其中所述导电物体包含一出多数相间隔构件所成阵列,其中每一构件均有一通道可让EV通过而沿所述总方向传播。81.如申请专利范围第57项之装置,其中所述导引装置包含选择与EV传播路径所生电子射线通信之装置。82.如申请专利范围第围项之装置,其中所述导引装置包含:(1)一介电体,其表面上有一通道用以接收EV并拘限其动件;(2)一介电盖,在所述通道之至少一部份上方,该所述在所述通道上方之盖内有一或更多之孔口;以及(3)一遮没(gating)电极,置于每一所述孔口俾选择施加电位以选择进行通过所述孔口各电子之通信及选择阻止此种通信。83.如申请专利范围第23项之装置,其中所述阴极包含润湿次结构材料用之导电材料。84.如申请专利范围第57项之装置,其中所述导引装置包含:(1)一介电体,其第一表面上有一通;道用以接收EV并拘限其动作;(2)一第一电极,沿所述介电体之一第二侧置放,包括一或更多沿所述通道设置之通孔;以及(3)一第二电极,大致沿所述第一电极置放但与其隔维;所述第二电极包含收集用材料,置于各所述孔口用以接收在口沿所述通道通过时经由所述第一电极上各所述开口发射之电磁射线。85.如申请专利范围第84项之装置,其中所述电磁射线系在无电领域内。86.如申请专利范围第57项之装置,其中所述导引装置包含(1)一偏转区域,在其中可将EV之传播路径作选择式偏转。(2)将EV导入所述偏转区域内之装置;以及(3)一对沿所述偏转区域置放之电极,用以施加一电信号于各所述电极而根据所述电信号将所述偏转区域内之EV传播路径偏转。87.如申请专利范围第86项之装置,尚包含邻接所述偏转区域之磷屏用以收在EV传过所述偏转区域时所发射之电子,并回应所述所接收之电子产生可见光。88.如申请专利范围第87项之装置,尚包含一视察系统用以放大由所述磷屏产生之光像。89.如申请专利范围第86项之装置,尚包含一介电物,其上提供有所述偏转区域并附接所述电极对。90.如申请专利范围第此项之装置,尚包含一电子摄像机,设置并接收在EV传过所述偏转区域时所发射之电子。91.一线EV产生器与一线EV分维器之组合,用以由产生所述EV之同时所生成电浆放电生成物中抽取E卞,,其中:(1)所述产生器包含一具有一尖锐末端,大致柱状对称之阴极;而(2)所述分离器包含一大致管状之介电构件,至少部份环绕所述阴极而界定一与所述阴极之所述尖锐末端对齐但相隔离之孔隙,并且具有一设置于所述管状构件外表面上之电极;(3)其中所产生之EV可经由所述以所述管状构件界定之孔隙离开,而其他放电生成物则可滞纳于所述管状构件内。92.如申请专利范围第91项之装置,其中:(1)所述产生器包含一介电体,其第一表面上置有一阴极;而(2)所述分离器包含一介电构件,位于所述介电体上方以至少部份遮盖所述阴极,与所述介电体协作以至少部份界定一大致与所述阴极对齐但隔开之开口,而且特征为在所述构件之一外表面上置有一电极;(3)其中所产生之EV可经由所述开口推开而其他放电生成物可予滞纳于所述介电体与所述介电构件间之区域内。93.一种用以将EV传播通过一空间之发射器,尚包含一与一电极分开之EV产生器供用以施加一电位以将EV自该产生器中移除并使所述EV传播通过所述空间。94.一种产生EV之装置,包括一EV选择器,用以自多数EV中选择抽取一或更多之EV,其中所述选择器包含一大致管状之介电构件经削斜以界定一出一尖锐末端环绕之孔隙,且特征为所述管形构件之外表面上有一置极,此使EV可经由所述孔隙传播离开所述管状构件之内部前往所述电极,而一外加电位可利用以自所述边绿区选择抽取EV。95.如申请专利范围第91项之装置,尚包含一置于所述大致管状构件内并与所述孔隙对齐之阴极,此使EV可因施加电位差于所述阴极与所述电极间而产生。96.如申请专利范围第94项之装置,尚包含一与所述孔隙分开置放之第二电极,将所述外加电位用以自所述边绿区城选择抽取EV。97.如申请专利范围第94项之装置,其中所述选择器尚包含:(1)一介电体,具有一第一表面:(2)第一及第二EV导引通路,沿所述第一表面置放并彼此相交成一锐角以定义一在相交处内角之边缘;以及(3)一电极,沿所述第二通道置放但离开与所述第一通道之所述相交处,系设置以使EV沿所述第一通道移动以绕过所述边绿缘传播至所述电极,以使一外加电位可予以施加以自所述边缘区域选择抽取EV以沿远离所述边绿之所述第一通道传播。98.如申请专利范围第97项之装置,尚包含一大致平坦之阴极用以产生EV,所述阴极系沿所述第一通道置于离开所述电极之所述边缘四周。99.如申请专利范围第97项之装置,尚包含至少一额外电极,大致沿所述第一通道置于离开所述交口处将所述外加电位用以自所述边绿区域选择抽取EV。100.一种EV示波器,包含:(1)一偏转区域,其中EV之传播路径可作选择式偏转;(2)将EV导入所述偏转区域之装置;以及(3)一电极对,沿所述偏转区域置放使施加于所述各电极之电信号将EV在所述偏转区域内之传播路径根据该所述电信号偏转。101.如申请专利范围第100项之EV示波器,尚包含一邻接所述偏转区域之磷屏用以接收在EV经由所述偏转区域传播时所发射之电子,并回应收所述所接收电予而产生可见光。102.如申请专利范围第101项之EV示波器,尚包含一视察系统用以放大由所述磷屏产生之光像。103.如申请专利范围第100项之EV示波器,尚包含一某上提供有所述偏转区域且附接有所述电极对之介电体。104.如申请专利范围第100项之EV示波器,尚包含一电子摄像机,系设置以接收EV在通过所述偏转区域传播时所发射之电子。105.如申请专利范围第100项之EV示波器,尚包含至少一额外之此种示波器,其与所述第一示波器之相对位置为使所述各示波器之偏转区域至少部份重叠。106.如申请专利范围第105项之EV示波器,其中所述多数示波器之方位为使经由其各自电极所施加之电信号可令EV之传播路径发生三度空间偏转。107.如申请专利范围第105项之EV示波器,其中置有一或更多之摄像机以接收EV在通过所述偏转区域时所发射之电子。108.一种电子摄像机,用以透过电子之图案视察一事件,包含:(1)一针孔形孔隙,可供电子通过;(2)产生可见光输出之装置,其方法为回应撞击所述可见光输出装置之电子,而所述可见光输出装置大致与所述孔隙对齐但相隔置放,尚可包含多数偏转电极,大致位于所述孔隙与所述可见光输出装置间以使通过所述孔隙之电子可因电位才在所述电子撞击所述可见光输出装置前施加于所述电极而选择偏转其路径。109.如申请专利范围第108项之电子摄像机,其中所述可见光输出装置包含一通道电子乘器与一磷屏之组合体。110.如申请专利范围第108项之电子摄像机,尚包含一出所述孔隙进入之罩壳,大致掩罩所述孔隙与所述可见光输出装置间之区域。111.如申请专利范围第108项之电子摄像机,尚包含至少一额外之此种电子摄像机,而所述多数电子摄像机经安排以接收大致由该同一区域研发之电子。112.如申请专利范围第111项之电子摄像机,其中所述电子摄像机系设置以接收在EV通过至少一Ev示波器时所提供之电子。113.如申请专利范围第108项之电子摄像机,尚包含一Ev示波器,而所述电子摄像机系置以接收在Ev通过所述Ev示波器时所提供之电子。ll4.一种包含一行波电路之装置,用以大致沿一路径导引Ev,同时允许与所述通过中Ev所发电磁能量通信并收集所述能量,尚可包含:(1)一大致管状介电构件,可供Ev行经其内;以及(2)一导电螺旋线,大致环绕所述管状构件上一段可供所述Ev行进之距离,以使EV在行进时至少部份沿所述螺旋线之纵长方向通过。115.如申请专利范围第114项之装置,尚包含一接地平面大致沿至少一部份所述螺旋线置放。116.如申请专利范围第114项之装置,尚包含一Ev产生器,所具一阴极及一第二电极大致与所述管状构件对齐置放以使由所述阴极大致朝向所述第二电极移动之EV沿所述管状构件之内部通过。117.如申请专利范围第114项之装置,其中所述行波电器包含:(1)一介电体,上有一第一表面;(2)一EV导引通道,设于所述第一表面;以及(3)一蛇形导电构件,沿所述介电体及所述通道置放,以使沿所述通道传播之EV大致沿所述蛇形导体之纵长方向通过。118.如申请专利范围第114项之装置,尚包含:(1)一介电体,其表面上有一第一通道用以接收Ev并拘限其动作;(2)一第一电极,沿所述介电体之一第二侧置放,且包括一或更多沿所述通道设置之通孔;以及(3)一第二电极,大致沿所述第一电极置放但与其相隔开;所述第二电极包含置于各所述开口之收集材料,同以接收在Ev沿所述通道涌过时经由所述第一电极内之各所述开口发射之电磁射线。119.如申请专利范围第114项之装置,其中所述电磁射线在无线电频城内。120.一种藉Ev之产生而产生电脉冲之装置包含:(1)一用以产生EV之阴极及一大致与所述阴极隔开置放之第二电极;(2)一介电构件,其上置有一与所述阴极相面对之所述第二电极;以及(3)一输出电极,置于所述介电构件上所述第二电极之反侧,以使所述输出电极因EV之撞击于所述第二电极上而产生电脉冲。121.如中请专利范围第120项之装置,尚包含一导电屏,大致包封所述阴极及所述第二电极。122.如申请专利范围第120项之装置,尚包含一分离器,包括:(1)一大致管状之介电体,至少部份环绕所述阴极,并提供一大致对齐于所述阴极与所述第二电极间可注所述阴极上所产生EV,穿出之孔隙;以及(2)一第三电极,置于所述大致管体外表面上用以产生EV,此使所述阴极与所述第二电极间所施加电位可利用以选择分离EV供传播至所述第二电极。123.如申请专利范围第120项之装置,尚包含一场射线发射器与所述找出电极成电通信状态以接收所述电脉街供产生EV用。124.一种产生EV之装置,包含:(1)一介电基底,有装置可大致沿所述基底导引EV;(2)一导电阴极;大致位于所述基底之一表面上;(3)一第二导电极,沿所述基底与所述阴极隔开安置于所述基底之另一表面:以及(4)一第三电极,作用如同一控制电极,大致置于所述阴极与所述电极间,且大致在与所述阴极相对之所述基底表面上,用以将电位施于所述第三电极与所述阴极间俾控制EV之产生,尚可包含一作用如同反馈置极之第四电极,大致置于所述第二电极附近俾利用EV通过时所生之反馈效应。125.如申请专利范围第123项之装置,其中所述EV大致由纯场发射作用如此产生。图示简单说明:图1为一EV产生器之顶面视图,图2为图l中EV产生器之侧面立视图,图3为另一形式之EV产生器之部份示意侧面剖视图,图4为一例如用于图3中Ev产生器之湿润金属阴极之放大侧面剖视图,图5为近似于图4之另一形式湿润金属阴极图,图6为近似于图4及5之另一形式湿润金属阴图,图7为一阴极及一阳极在一介电底质上之侧面立视图,图8为一利用分离器之柱状对称Ev产生器之部份侧视图,图9为一具有分离器之平面Ev产生器之部份侧视图,图10为图9所示分离器盖之顶面视图,图11为一平面RC Ev导引物之顶面视图,图12为配置有盖子之图11EV导引物之一末端立视图,图13为另一形式之平面RC EV导引物之顶面视图,图14为图13中EV导引物之一末端立视图;图15为一柱状对称RCEV导引物之顶面剖视图,图16为另一形式之柱状对称RC EV导引物之顶面剖视图,图17为一利用气体环境、与一EV导引物并用之EV产生器之侧面立视图,图18为图17中产生器与导引物之一末端立视图,图19为一使用光反射器之EV导引系统之顶面视图,图20为一LC EV导引物之分离透视图图21为另一形式LCEV导引物之分离透图,图22为另一形式Ev产生器之顶面视图,图23为图22中EV产生器沿图22中剖面线23一23所取之直立剖面;图24为配置有盖子之图22及23所示EV产生器之一末端立视图;图25为一粒状对称EV产生器一发射器之侧面剖视图;图26为一粒状对称EV选器及一导引物之侧面剖视图;图27为一平面EV选器之顶面视图;图28为图27中EV选器之一末端立视图;图29为一Ev分裂器之顶面视图;图30为图29中Ev分裂器之一末端立视图;图31为另一Ev分裂器之顶面视图;图32为配置有盖子之图3l中Ev分裂器之一末端立视图;图33为一可变时间延迟EV分裂器之顶面视图;图34为图33中部份分制器沿图33中线33一34所取片段直立剖面;图35为另一形式之可变时间延迟EV分裂器之顶面视图;图36为一EV偏向开关之顶面视图;图37为图36中EV偏向开关沿图36中线37一37所取直立剖面;图38为图36及37中偏向开关之一末端视图;图39为一EV示波器之顶面视图;图40为配置有盖子之图39EV示波器之一末端视图;图41为一电子照相机之部份切除侧面剖视图;图42为图41中电子照相机沿图41中线42一42所取直立剖面;图43为图42所示照相机经安装以观察EV示波器之侧面立视图;图44为一示意图;图45为一平面复极EV产生器之等轴示意图;图46为另一平面复极EV产生器之顶面视图;图47为图46中复极EV产生器沿图46中线47一47所取直立剖面图;图48为图46及47中复极产生器之一末端视图;图49为一「无电极」EV源之侧面剖视图;图50为一利用Ev之行波管之部份示意侧面立视图;图51为一利用Ev之平面行波电路之部份示意顶面视图;图52为一利用Ev之脉街产生器之直立剖面;图53为图52中脉街产生器之一末端视图;图54为一利用图52及53中脉街产生器原理之电场电射EV产生器之部份侧面立视图;图55为一平面电场发射EV产生器之顶面视图;图56为图55中电场发射EV产生器操作电路图;图57为一利用EV之X光产生器之部份侧面立视图;图58为一利用EV之有栅电子源之等轴分离图:图59为一利用EV之RF源之等轴示意图;图60为EV之立体示意图;图61为一连串EV之立体示意图; |
