MOS晶体管的栅极电压-1/f噪声曲线测量方法

摘要

一种MOS晶体管的栅极电压-1/f噪声曲线测量方法，包括：提供待检测的MOS晶体管；测量在指定栅极电压区间内的MOS晶体管栅极电压-漏极电流的变化曲线；将所述栅极电压区间划分成至少2个分区间，比较分区间的漏极电流的变化趋势，在各个分区间内选取多个栅极电压值，且漏极电流的变化趋势大的分区间内选取的栅极电压值数量大于漏极电流的变化趋势小的分区间内选取的栅极电压值数量；测量选取的栅极电压值对应的1/f噪声，根据获得的1/f噪声获得在对应栅极电压区间的栅极电压-1/f噪声曲线。通过测量不同栅极电压下漏极电流的变化趋势，并根据漏极电流的变化趋势选取若干栅极电压，可减少测量1/f噪声次数，减少测试时间。

主权项

一种MOS晶体管的栅极电压‑1/f噪声曲线测量方法，其特征在于，包括：提供待检测的MOS晶体管；测量在指定栅极电压区间内的MOS晶体管栅极电压‑漏极电流的变化曲线；将所述栅极电压区间划分成至少2个分区间，比较分区间的漏极电流的变化趋势，在各个分区间内选取多个栅极电压值，且漏极电流的变化趋势大的分区间内选取的栅极电压值数量大于漏极电流的变化趋势小的分区间内选取的栅极电压值数量；测量选取的栅极电压值对应的1/f噪声，根据获得的1/f噪声获得在对应栅极电压区间的栅极电压‑1/f噪声曲线；测量所述MOS晶体管的1/f噪声的具体方法包括：利用测试探针在MOS晶体管上施加源漏电压、栅极电压；测量MOS晶体管的漏极电流信号；分析所述漏极电流信号，获得所述MOS晶体管的1/f噪声。