用于3D内存应用的PECVD氧化物-氮化物以及氧化物-硅堆栈

摘要

在单一等离子体增强化学气相沉积处理腔室中，将不同材料的层堆栈结构沉积至基板上，同时维持真空。将基板放到处理腔室中，并且第一处理气体用于在基板上形成第一层的第一材料。在第二处理气体用于在基板上形成第二层的第二材料之前，进行等离子体净化及气体净化。重复等离子体净化及气体净化，并且将第一与第二材料的附加层沉积至层堆栈结构上。

主权项

一种用于在等离子体增强化学气相沉积PECVD腔室中制造交替材料的层堆栈的方法，该方法包含：(a)将基板放到PECVD腔室中；(b)将第一处理气体激发成第一等离子体；(c)从所述第一等离子体将第一材料之层沉积至所述基板上，所述第一材料之层在第一方向上具有第一应力；(d)等离子体净化所述PECVD腔室，并且利用所述等离子体净化，露出待调理供沉积用的所述第一材料的表面；(e)气体净化所述PECVD腔室，以移除所有气体污染物；(f)将第二处理气体激发成第二等离子体；(g)从所述第二等离子体将第二材料之层沉积至所述基板上，所述第二材料之层在第二方向上具有第二应力，所述第二方向与所述第一方向相反；(h)等离子体净化所述PECVD腔室，并且利用所述等离子体净化，露出待调理供沉积用的所述第二材料的表面；(i)气体净化所述PECVD腔室，以移除气体污染物；(j)在步骤(b)至(i)的整个过程中，维持所述PECVD腔室中的真空；以及(k)重复步骤(b)至(j)，直到在所述基板上已沉积一预定层数的所述第一材料和所述第二材料且所述基板的上表面是平坦的。