| 发明名称 | 半导体器件和制造半导体器件的方法 | ||
| 摘要 | 公开了半导体器件和制造半导体器件的方法。半导体器件可以包括衬底、设置在衬底上的栅极、设置在衬底上以覆盖栅极的栅极绝缘层、设置在栅极绝缘层上并包括氧化物半导体的有源层、设置在栅极绝缘层上以覆盖有源层的绝缘中间层、设置在绝缘中间层上并包括多个金属氧化物层的保护结构、以及设置在保护结构上的源极和漏极。 | ||
| 申请公布号 | CN105552128A | 申请公布日期 | 2016.05.04 |
| 申请号 | CN201510679471.4 | 申请日期 | 2015.10.19 |
| 申请人 | 三星显示有限公司 | 发明人 | 李制勳;金恩贤;申相原;李恩荣 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/786(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人 | 王达佐;刘铮 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：栅极，设置在衬底上；栅极绝缘层，设置在所述衬底上以覆盖所述栅极；有源层，设置在所述栅极绝缘层上，所述有源层包括氧化物半导体；绝缘中间层，设置在所述栅极绝缘层上并被配置为覆盖所述有源层；保护结构，设置在所述绝缘中间层上，所述保护结构包括多个金属氧化物层；以及源极和漏极，设置在所述保护结构上，所述源极和所述漏极分别与所述有源层的源区和漏区接触。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||