发明名称 | 一种测量超导材料临界电流密度的方法 | ||
摘要 | 本发明公开了一种测量超导材料临界电流密度的方法,具体步骤为:(1)制备特定超导材料的标准样品,先用四引线法测量标准样品在不同磁场强度和温度下的电流,再在同样的磁场强度和温度下用Campbell法测得标准样品输出的电压信号,建立标准样品的I/V-B-T标准曲线;(2)将待测样品做成与标准样品相同的形状,再将待测样品放到Campbell法探测线圈中,设定磁场强度和温度,通过Campbell法测得待测样品输出的电压信号,通过I/V-B-T标准曲线读取待测样品的临界电流进而计算待测样品的临界电流密度。本发明避免了使用四引线法所需的设备,又解决了Campbell法采集数据多和耗时长等问题,磁测量较安全,测量结果与直接用四引线法的测量结果近似。 | ||
申请公布号 | CN105548668A | 申请公布日期 | 2016.05.04 |
申请号 | CN201510892444.5 | 申请日期 | 2015.12.08 |
申请人 | 新乡学院 | 发明人 | 郭志超;申建芳;李平林;程素君 |
分类号 | G01R19/08(2006.01)I | 主分类号 | G01R19/08(2006.01)I |
代理机构 | 新乡市平原专利有限责任公司 41107 | 代理人 | 路宽 |
主权项 | 一种测量超导材料临界电流密度的方法,其特征在于具体步骤为:(1)制备特定超导材料的标准样品,先用四引线法测量标准样品在不同磁场强度和温度下的电流,再在与四引线法测量过程相同的磁场强度和温度下用Campbell法测得标准样品输出的电压信号,其中Campbell法测得的电压信号和四引线法测得电流相对应,建立标准样品的I/V‑B‑T标准曲线;(2)将待测样品做成与标准样品具有相同的形状,并将制得的待测样品放到Campbell法探测线圈中,设定磁场强度和温度,通过Campbell法测得待测样品输出的电压信号,由磁场强度和温度以及测得的电压信号,并通过步骤(1)得到标准样品的I/V‑B‑T标准曲线即可直接读取待测样品的临界电流,再通过公式J=I/m<sup>2</sup>计算得到超导材料的临界电流密度。 | ||
地址 | 453003 河南省新乡市金穗大道191号 |