| 发明名称 | 一种AlGaN/GaN HEMT晶体管及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提出一种AlGaN/GaN HEMT晶体管及其制造方法，其中器件源电极和漏电极通过一高热导率的材料直接实现与器件所采用SiC衬底的连接，器件栅电极下产生的热量经过与源电极和漏电极相连的高热导率材料实现向SiC衬底的散热；本发明中的AlGaN/GaN HEMT器件还存在一高热导率的材料将器件栅电极与SiC衬底相连接，器件栅电极下产生的热量经过与栅电极相连的高热导率材料实现向SiC衬底的散热，进一步增强器件的散热能力。 | ||
| 申请公布号 | CN105552047A | 申请公布日期 | 2016.05.04 |
| 申请号 | CN201510922949.1 | 申请日期 | 2015.12.14 |
| 申请人 | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 | 发明人 | 任春江;陈堂胜 |
| 分类号 | H01L23/367(2006.01)I;H01L23/373(2006.01)I;H01L29/778(2006.01)I;H01L21/335(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/367(2006.01)I |
| 代理机构 | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人 | 柏尚春 |
| 主权项 | 一种AlGaN/GaN HEMT晶体管，包括位于衬底上的器件本体，所述器件本体至少包括源极、漏极、栅极、GaN缓冲层和AlGaN势垒层，其特征在于，至少器件本体的部分表面被导热材料覆盖。 | ||
| 地址 | 210000 江苏省南京市白下区瑞金路街道中山东路524号 | ||