鳍式场效应晶体管及其制备方法

摘要

本发明提供了一种鳍式场效应晶体管结构及其制备方法，包括：硅衬底、位于硅衬底上的鳍式结构以及位于鳍式结构上的栅极绝缘层和栅电极；栅电极下方的鳍式结构的中间部分为双层结构，该双层结构构成双层沟道结构；双层结构的上层为上沟道，下层为下沟道；鳍式结构的两端为单层结构，且单层结构与硅衬底之间具有绝缘介质；单层结构构成源漏延伸区。本发明通过将源漏延伸区和硅衬底之间通过绝缘介质隔离，有效阻断器件源漏之间以及器件与器件之间的泄漏通道，降低泄漏电流，有效避免闩锁效应；另一方面，上沟道和衬底之间通过下沟道的半导体材料连接，散热性能好，避免自热效应。并且，本发明的方法，成本低，工艺简单可控。

主权项

一种鳍式场效应晶体管，包括硅衬底、位于硅衬底上的鳍式结构以及位于所述鳍式结构上的栅极绝缘层和栅电极；其特征在于，所述栅电极下方的所述鳍式结构的中间部分为双层结构，该双层结构构成双层沟道结构；所述双层结构的上层为上沟道，下层为下沟道；所述鳍式结构的两端为单层结构，且所述单层结构与所述硅衬底之间具有绝缘介质；所述单层结构构成源漏延伸区。