磁控溅射装置及磁控溅射方法

摘要

本发明公开了一种磁控溅射装置及磁控溅射方法，磁控溅射装置包括：用于放置基片的基片台；与基片台相对布置的靶，用于放置向基片进行溅射的靶材；反应腔体，基片台和靶均设于反应腔体内；还包括：与靶对应的角度调节装置，用于调节对应的靶相对于基片台的角度。磁控溅射方法包括以下步骤：（1）清洗反应腔和基片，安装靶材；（2）调节靶相对于基片的角度、靶和基片之间的距离；（3）将反应腔体抽真空；（4）进行预溅射，同时开启基片台的旋转和摆动功能；（5）进行磁控溅射。该装置可用于高均匀性、良好重复性的大面积薄膜沉积，且可实现多层薄膜的连续溅射沉积；该方法可节约镀膜时间并提高镀膜效率。

主权项

一种磁控溅射装置，包括：用于放置基片（105）的基片台（102）；与所述基片台（102）相对布置的靶（104），用于放置向所述基片（105）进行溅射的靶材；反应腔体（101），所述基片台（102）和所述靶（104）均设于所述反应腔体（101）内；其特征在于，还包括：与所述靶（104）连接的角度调节装置，用于调节靶（104）相对于基片台（102）的角度。