一种N型硅衬底背面接触式太阳电池结构和制备方法

摘要

本发明涉及一种基于N型硅衬底背面接触式太阳电池结构和制备方法。N型硅衬底受光面设置有一层以上减反射层的叠层结构；N型硅衬底背光面为相互交替的N型层部分与P型层部分，N型层部分依次为N型硅衬底、减反射层，以及穿透减反射层与N型硅衬底接触的电极；P型层部分依次为N型硅衬底、P型晶硅层、减反射层，以及穿透减反射层与P型晶硅层连接的电极。本发明可以兼容传统晶硅生产线，可以经过升级改造实现背接触太阳电池的生产，相对于传统晶硅太阳电池，避免常规太阳电池正面电极遮光的问题，降低金属电极的使用量，提高了太阳电池的效率；并且相对于传统HIT电池、IBC太阳电池，不但制备工艺简单，设备成本也很低。

主权项

一种N型硅衬底背面接触式太阳电池结构的制备方法，其特征在于，所述的N型硅衬底背面接触式太阳电池结构为：N型硅衬底受光面设置有一层以上减反射层的叠层结构；N型硅衬底背光面为相互交替的N型层部分与P型层部分，N型层部分依次为N型硅衬底、减反射层，以及穿透减反射层与N型硅衬底接触的电极；P型层部分依次为N型硅衬底、P型晶硅层、减反射层，以及穿透减反射层与P型晶硅层连接的电极；P型晶硅层、受光面或背光面的减反射层的厚度为1‑5000nm；受光面或背光面的减反射层为SiO_x，Al₂O₃，SiN_x中的一种或几种的叠层结构；所述制备方法，依次包括以下步骤：（1）在制绒后的N型硅衬底受光面沉积减反射层；（2）背光面进行P型掺杂形成P型晶硅层；（3）用掩膜版遮挡进行部分背面扩散层的蚀刻去除，使得P型晶硅层与N型硅衬底相互交替分布；（4）在背光面进行减反射膜沉积；（5）电极制备及烧结；或者所述制备方法，依次包括以下步骤：（1）在制绒后的硅衬底背光面进行P型掺杂形成P型晶硅层；（2）用掩膜版遮挡进行部分背面扩散层的蚀刻去除，使得P型晶硅层与N型硅衬底相互交替分布；（3）在受光面和背光面分别进行减反射膜沉积；（4）电极制备及烧结；掩膜版遮挡部分背光扩散层的蚀刻去除方法为：①在需要蚀刻去除的P型晶硅层部分之外丝网印刷一层保护层，②化学腐蚀去除未受保护部分，③去除保护层，④去除受保护层保护部分的氧化硅层；P型掺杂的方法为高温扩散掺杂或离子注入。