发明名称 VERFAHREN ZUR VERBINDUNG EINES SUBSTRATS UND CHIPANORDNUNG
摘要 Es wird ein Verfahren zur Verbindung eines Substrats bereitgestellt, wobei das Substrat eine erste Hauptfläche und eine zweite Hauptfläche gegenüber der ersten Hauptfläche umfassen kann. Das Verfahren kann das Bilden mindestens eines Vorsprungs auf der ersten Hauptfläche des Substrats; Bilden eines Fixiermittels über der ersten Hauptfläche des Substrats und über dem mindestens einen Vorsprung und Anordnen des Substrats auf einem Träger umfassen. Der mindestens eine Vorsprung kann eine Oberfläche des Trägers berühren und so ausgelegt sein, dass er die erste Hauptfläche des Substrats in einem Abstand zur Berührungsfläche des Trägers hält, der einer Höhe des Vorsprungs entspricht, um dadurch einen Raum zwischen der ersten Hauptfläche des Substrats und dem Träger zu bilden. Während des Anordnens des Substrats auf dem Träger kann wenigstens ein Teil des über dem mindestens einen Vorsprung ausgebildeten Fixiermittels in den Raum zwischen der ersten Hauptfläche des Substrats und dem Träger verdrängt werden.
申请公布号 DE102014115770(A1) 申请公布日期 2016.05.04
申请号 DE201410115770 申请日期 2014.10.30
申请人 Infineon Technologies AG 发明人 Frank, Paul;Jürss, Michael;Chiong Yong, Tay;Heinrich, Alexander
分类号 H01L21/58;H01L21/60;H01L23/495 主分类号 H01L21/58
代理机构 代理人
主权项
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