| 发明名称 | 半导体及制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及半导体及制造半导体的方法。一种集成电路包含具有半导体材料的衬底。第一深沟槽(304)位于所述半导体材料中且以第一方向延伸。第二深沟槽(306)位于所述半导体材料中且以第二方向延伸。交叉区域(328)位于所述第一深沟槽(304)与所述第二深沟槽(306)的相交处。结构位于所述交叉区域(328)中。 | ||
| 申请公布号 | CN105552018A | 申请公布日期 | 2016.05.04 |
| 申请号 | CN201510698268.1 | 申请日期 | 2015.10.23 |
| 申请人 | 德州仪器公司 | 发明人 | 胡炳华;欧根·蓬皮柳·门德里切卢;索帕·切瓦乍龙库尔 |
| 分类号 | H01L21/762(2006.01)I;H01L27/105(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/762(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人 | 林斯凯 |
| 主权项 | 一种集成电路，其包括：包括半导体材料的衬底；位于所述半导体材料中且以第一方向延伸的第一深沟槽；位于所述半导体材料中且以第二方向延伸的第二深沟槽；以及所述第一深沟槽与所述第二深沟槽相交处的交叉区域；以及位于所述交叉区域中的结构。 | ||
| 地址 | 美国德克萨斯州 | ||