发明名称 |
鳍式场效应管及其形成方法 |
摘要 |
一种鳍式场效应管及其形成方法,其中鳍式场效应管的形成方法包括:提供锗化硅基底以及位于锗化硅基底表面的硅基底,且所述锗化硅基底和硅基底包括依次排列的第一区域、第二区域和第三区域;刻蚀第二区域的硅基底以形成若干分立的鳍部,且鳍部之间的排列方向与第一区域、第二区域和第三区域的排列方向相互垂直;刻蚀鳍部两侧的部分厚度的锗化硅基底,在锗化硅基底内形成凹槽;形成横跨鳍部的栅极结构,栅极结构覆盖鳍部的顶部和侧壁,且栅极结构填充满所述凹槽;对第一区域和第三区域的硅基底进行掺杂,形成掺杂区。本发明在提高沟道区载流子迁移率的同时,使得掺杂区表面具有良好形貌,提高鳍式场效应管的电学性能。 |
申请公布号 |
CN105552124A |
申请公布日期 |
2016.05.04 |
申请号 |
CN201410604150.3 |
申请日期 |
2014.10.30 |
申请人 |
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
发明人 |
张海洋;张璇 |
分类号 |
H01L29/78(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/78(2006.01)I |
代理机构 |
北京集佳知识产权代理有限公司 11227 |
代理人 |
应战;骆苏华 |
主权项 |
一种鳍式场效应管的形成方法,其特征在于,包括:提供锗化硅基底以及位于锗化硅基底表面的硅基底,且所述锗化硅基底和硅基底包括依次排列的第一区域、第二区域和第三区域;刻蚀所述第二区域的硅基底以形成若干分立的鳍部,且所述鳍部之间的排列方向与第一区域、第二区域和第三区域的排列方向相互垂直;刻蚀所述鳍部两侧的部分厚度的锗化硅基底,在所述锗化硅基底内形成凹槽;形成横跨所述鳍部的栅极结构,所述栅极结构覆盖鳍部的顶部和侧壁,且所述栅极结构填充满所述凹槽;对所述第一区域和第三区域的硅基底进行掺杂,形成掺杂区。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区张江路18号 |