| 发明名称 | 硅纳米线阵列的制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种硅纳米线阵列的制备方法，包括以下步骤：使塑料粒子以均匀随机图案相互隔离地布置于硅基板上；在所述塑料粒子之间形成催化剂层；除去所述塑料粒子；垂直蚀刻与所述催化剂层接触的硅基板部位；及除去所述催化剂层。根据本发明，工艺简单，费用低，通过大面积工艺能够实现批量生产，在资源有限的地方也能够制备纳米线，可以独立控制纳米线的结构。 | ||
| 申请公布号 | CN105555705A | 申请公布日期 | 2016.05.04 |
| 申请号 | CN201480052091.1 | 申请日期 | 2014.07.14 |
| 申请人 | 光州科学技术院 | 发明人 | 尹明汉;李世宁 |
| 分类号 | B82B3/00(2006.01)I | 主分类号 | B82B3/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京润平知识产权代理有限公司 11283 | 代理人 | 谢鑫;肖冰滨 |
| 主权项 | 一种硅纳米线阵列的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：使塑料粒子以均匀随机图案相互隔离地布置于形成有层状自组装聚合物层的硅基板上；在所述塑料粒子之间形成催化剂层；除去所述塑料粒子；垂直蚀刻与所述催化剂层接触的硅基板部位；及除去所述催化剂层。 | ||
| 地址 | 韩国光州 | ||