TFT-LCD阵列面板结构及其制造方法

摘要

本发明提供一种TFT-LCD阵列面板结构及制造方法，通过在TFT阵列的外围制作栅金属层和源/漏极金属层直接接触的防ESD器件，以防止源/漏极金属沉积后面各工艺站点的静电击伤，提高产品的良率；同时通过相应地改变有源层光刻，在过孔光刻的同时形成硅岛，简化了工艺步骤，降低了生产成本；同时通过相应地改变栅金属光刻、有源层光刻、源/漏金属光刻，在VT/FPC/IC焊盘区，源/漏金属覆盖在栅金属上，可以降低栅金属层的电极腐蚀，在延伸焊盘式布线(fanout line)区可降低线电阻；进一步的，在栅金属层沉积之前先形成氮化硅层，可以降低干刻对基板的损伤。

主权项

一种TFT‑LCD阵列面板的制造方法，其特征在于，包括：栅金属层光刻：在基板上沉积栅金属层并通过栅金属掩膜板刻蚀形成栅极线和栅电极；有源层光刻：在所述基板上依次沉积栅绝缘层、半导体层以及欧姆接触层，通过有源层掩膜板依次刻蚀所述半导体层和栅绝缘层以暴露出部分栅极线；S/D光刻：在所述基板上沉积源/漏极金属层，通过源/漏极掩膜板刻蚀形成源/漏极以及防ESD器件基体，所述防ESD器件基体包括栅极线，暴露出部分栅极线的栅绝缘层、半导体层以及覆盖暴露出的所述部分栅极线的源/漏极金属层；过孔光刻：在所述基板上的整个表面上沉积钝化层，通过过孔掩膜板刻蚀所述钝化层，以形成暴露出部分漏极的过孔；像素电极层光刻：在所述基板上沉积像素电极层，通过像素电极掩膜板刻蚀形成像素电极，进而形成TFT阵列；所述基板上还设置有VT/FPC/IC焊盘区，所述VT/FPC/IC焊盘区的形成步骤包括：在有源层光刻步骤中所述VT/FPC/IC焊盘区刻蚀停止在栅金属层；在S/D光刻步骤中VT/FPC/IC焊盘区刻蚀停止在源/漏极金属层；所述基板上还设置有存储电容区，所述存储电容区的形成步骤包括：在有源层光刻步骤中所述存储电容区刻蚀停止在栅绝缘层；在S/D光刻步骤中存储电容区刻蚀停止在栅绝缘层；在过孔光刻步骤中存储电容区刻蚀停止在钝化层；在像素电极层光刻步骤中存储电容区刻蚀停止在像素电极层；或者，在有源层光刻步骤中所述存储电容区刻蚀停止在栅金属层；在S/D光刻步骤中存储电容区刻蚀停止在源/漏极金属层；在过孔光刻步骤中存储电容区刻蚀停止在钝化层；在像素电极层光刻步骤中存储电容区刻蚀停止在像素电极层。