半导体膜形成装置和工艺

摘要

本发明公开了一种用于在半导体衬底上形成薄膜的装置和方法。在一个实施例中的装置包括：工艺室，被配置成用于支撑衬底；气体激励电源；以及第一分配喷头和第二气体分配喷头，与包含膜前体的反应工艺气体供给部流体连通。喷头将气体散布到衬底上方的两个不同区域中，该激发以在晶圆上方生成内部等离子体场和外部等离子体场。装置以促进越过衬底具有基本均匀厚度的膜的形成方式在衬底上沉积材料。在一个实施例中，衬底是晶圆。多种实施例包括连接至第一喷头和第二喷头以改变每个区域中的功率电平和等离子体密度的第一独立可控电源和第二独立可控电源。本发明还提供了半导体膜形成装置和工艺。

主权项

一种用于在半导体衬底上形成薄膜的装置，包括：工艺室，被配置成支撑所述衬底；第一气体分配喷头，设置在所述室中，所述第一喷头与工艺气体供给系统流体连通并且用于将工艺气体散布到所述室中位于所述衬底上方的第一区域中；第二气体分配喷头，设置在所述室中，所述第二喷头与所述工艺气体供给系统流体连通并且用于将所述工艺气体散布到所述室中位于所述衬底上方的第二区域中，所述第二区域不同于所述第一区域；以及第二底部电极，被配置为接地环，且所述第二底部电极包括至少一个倾斜或成角表面，该表面相对于水平面向上和向内朝向所述工艺室的轴中心线；气体激励电源系统，与所述工艺室电连接，所述电源系统用于激发所述工艺气体并在所述工艺室内生成用于在所述衬底上形成材料膜的气体等离子体。