一种基于二氧化硅薄膜的低功耗阻变存储器及其制备方法

摘要

本发明公开了一种基于二氧化硅薄膜的低功耗阻变存储器，由衬底、Ti粘附层、底电极、阻变层和顶电极依次叠加构成，阻变层为疏松结构的二氧化硅薄膜。该阻变存储器的制备包括以下步骤：在衬底上制备一层Ti粘附层；在Ti粘附层上制备Pt底电极；在Pt底电极上通过射频磁控溅射方法制备二氧化硅薄膜阻变层；其中射频磁控溅射的工艺条件为：以二氧化硅靶为溅射靶材，腔室压力小于5×10^-6Torr，溅射温度、溅射压力、溅射功率、氩气流量和氧气的体积分数都进行适当控制，在阻变层上通过直流磁控溅射法制备点状金属Ag薄膜作为顶电极，即得到阻变存储器。本发明产品具有制备温度低、操作电压低的优点。

主权项

一种基于二氧化硅薄膜的低功耗阻变存储器，由衬底、Ti粘附层、底电极、阻变层和顶电极依次叠加构成，其特征在于，所述阻变层为疏松结构的二氧化硅薄膜。