发明名称 |
一种自重置AMR传感器 |
摘要 |
本发明涉及一种自重置AMR传感器,包括传感层,其特征在于:还包括设于所述传感层一侧的短路条层,以及设于所述传感层另一侧的绝缘层和设于所述绝缘层外侧的钉扎层。本发明的AMR传感器,在传感层的一侧,设置短路条层,获得对传感层和短路条层所组成的感测层整体的良好短路效果;在传感层的另一侧设置钉扎层,则能取代传统复位电路结构,达到节省成本和功耗的目的。尤其在传感层和钉扎层之间还设置绝缘层,能够起到电隔离作用,避免传感层在电操作过程中的干扰。 |
申请公布号 |
CN105548920A |
申请公布日期 |
2016.05.04 |
申请号 |
CN201510894412.9 |
申请日期 |
2015.12.08 |
申请人 |
苏州工业园区纳米产业技术研究院有限公司 |
发明人 |
张华 |
分类号 |
G01R33/09(2006.01)I |
主分类号 |
G01R33/09(2006.01)I |
代理机构 |
苏州市中南伟业知识产权代理事务所(普通合伙) 32257 |
代理人 |
李阳 |
主权项 |
一种自重置AMR传感器,包括传感层,其特征在于:还包括设于所述传感层一侧的短路条层,以及设于所述传感层另一侧的绝缘层和设于所述绝缘层外侧的钉扎层。 |
地址 |
215123 江苏省苏州市工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城西北区19幢 |