| 摘要 |
본 발명은 수은에 선택적인 감응성을 보이는 압타머(aptamer)를 그래핀 채널에 도입한 고감응성 전계 효과 트랜지스터 수은 센서의 제조에 관한 것으로, 화학기상증착법으로 제조된 그래핀 기판에 열증착 공정을 통하여 메탈전극을 도입하여 그래핀을 채널로 사용한 전극을 제조하고, 그래핀 채널을 표면개질화한 후 시프염기반응을 통해 압타머를 고정시키고, 전계 효과 트랜지스터를 도입하여 수은과 압타머의 선택적인 결합에 따른 전류변화를 모니터링(monitoring)하여 극미량의 수은을 검출하는 그래핀 기반 수은 센서 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따르면, 제조된 수은 센서는 높은 전하 캐리어 이동도와 전도도(conductivity)를 특성으로 지니는 그래핀을 이용하여 기존에 존재하는 전계 효과 트랜지스터를 기반으로 하는 수은 센서에 비해 감응도를 약 100배 향상시키는 결과를 보여주었으며, 1초 내에 수은과 감응하여 기존의 비색 센서와 형광 센서의 단점을 보완하는데 성공하였다. 본 연구자들에 의해서 제조된 수은 센서는 수은에 선택적으로 감응하는 압타머를 활용하여 높은 선택성(selectivity)을 제공한다는 장점이 있다. |
