| 发明名称 | FinFET检测结构 | ||
| 摘要 | 本实用新型揭示了一种FinFET检测结构。所述FinFET检测结构包括多个检测部分，每个检测部分包括形成于一半导体基底上的鳍、横跨所述鳍的栅极、形成于所述鳍下方并位于所述栅极两侧的源漏区、位于源漏区上的插塞以及连接所述源漏区和插塞的金属硅化物层；所述多个检测部分至少源漏区的宽度和/或插塞的数量不同。与现有技术相比，本实用新型中能够检测源漏区应力及金属硅化物层的薄层电阻对FinFET各自产生的影响，从而有助于提高FinFET的性能。 | ||
| 申请公布号 | CN205211742U | 申请公布日期 | 2016.05.04 |
| 申请号 | CN201521080660.1 | 申请日期 | 2015.12.18 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（天津）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 谢欣云 |
| 分类号 | H01L23/544(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L21/66(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/544(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 屈蘅;李时云 |
| 主权项 | 一种FinFET检测结构，其特征在于，包括多个检测部分，每个检测部分包括形成于一半导体基底上的鳍、横跨所述鳍的栅极、形成于所述鳍下方并位于所述栅极两侧的源漏区、位于源漏区上的插塞以及连接所述源漏区和插塞的金属硅化物层，所述多个检测部分至少源漏区的宽度和/或插塞的数量不同。 | ||
| 地址 | 300385 天津市西青区中国天津市西青经济开发区兴华道19号 | ||