闪存存储单元及其制备方法

摘要

本发明公开了一种闪存存储单元及其制备方法。其中，该制备方法包括在衬底上形成栅极结构及在栅极结构之间形成接触窗，接触窗的制备包括以下步骤：在具有栅极结构的衬底上沉积形成夹层介电层及光刻胶；以光刻胶为掩膜刻蚀栅极结构之间的夹层介电层至第一高度位置，并使栅极结构之间残留有部分夹层介电层；然后沉积形成隔离层；刻蚀去除栅极结构之间的隔离层及残留的夹层介电层；以及在栅极结构之间填充导电材料形成接触窗。将夹层介电层刻蚀至第一高度位置，并使栅极结构之间残留有部分夹层介电层，沉积形成隔离层。该隔离层的存在将保护侧壁层不会在接触窗的制备过程中被刻蚀过度，从而避免了接触窗与控制栅之间发生短路的现象。

主权项

一种闪存存储单元的制备方法，包括在衬底上形成栅极结构及在所述栅极结构之间形成接触窗(70)，其特征在于，所述接触窗的制备包括以下步骤：在具有所述栅极结构的所述衬底上沉积形成夹层介电层(50)及光刻胶；以所述光刻胶为掩膜刻蚀所述栅极结构之间的所述夹层介电层(50)至第一高度位置，并使所述栅极结构之间残留有部分所述夹层介电层(50)；然后沉积形成隔离层(60)；刻蚀去除所述栅极结构之间的隔离层(60)及残留的所述夹层介电层(50)；以及在所述栅极结构之间填充导电材料形成所述接触窗(70)。