混合型多晶硅异质结背接触电池

摘要

本发明公开了一种用于制造高效率太阳能电池的方法。所述方法包括在硅基板的背面上设置薄介质层和掺杂多晶硅层。随后，可在所述硅基板的所述背面和正面上形成高质量氧化物层和宽带隙掺杂半导体层两者。然后可执行金属化工艺以穿过接触开口将金属指状物镀覆在所述掺杂多晶硅层上。所述镀覆的金属指状物可形成第一金属格栅线。可通过将金属直接镀覆在所述硅基板的所述背面上的发射体区来形成第二金属格栅线，从而消除了用于所述第二金属格栅线的接触开口的需要。在这些优点中，所述用于制造太阳能电池的方法为制造高效率太阳能电池提供了减少的热工艺、减少的蚀刻步骤、提高的效率和简化的工序。

主权项

一种用于制造包括硅基板的太阳能电池的方法，所述硅基板具有被构造为在正常工作过程中面向太阳的正面和与所述正面相对的背面，并且所述方法包括：提供硅基板，所述硅基板在所述背面上具有薄介质层，并且在所述薄介质层上具有沉积硅层；在所述沉积硅层上形成掺杂材料层；在所述掺杂材料层上形成氧化物层；按照叉指状图案部分地移除所述氧化物层、所述掺杂材料层和所述沉积硅层；生长氧化物层，与此同时升高温度以驱使来自所述掺杂材料层的掺杂物进入所述沉积硅层中；用来自所述掺杂材料层的掺杂物掺杂所述沉积硅层以形成晶化掺杂多晶硅层；将宽带隙掺杂半导体和抗反射涂层沉积在所述太阳能电池的所述背面上；以及将宽带隙掺杂半导体和抗反射涂层沉积在所述太阳能电池的所述正面上。