| 发明名称 | 一种静电卡盘及等离子体处理装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种静电卡盘及等离子体处理装置，该静电卡盘用于等离子体处理装置中固定待加工件，其包括：第一绝缘层，用于承载所述待加工件；电极，位于所述第一绝缘层之中，用于连接一可控直流电源以产生静电力吸附待加工件；第二绝缘层，位于所述第一绝缘层的下方；加热器，设置于所述第二绝缘层内，所述加热器产生的热量能够通过所述第二绝缘层传递至所述第一绝缘层来加热所述待加工件；基体，位于所述第二绝缘层的下方，用于支撑所述第一绝缘层以及第二绝缘层；其中，所述电极的厚度至少大于0.1mm，使所述第二绝缘层向所述第一绝缘层传递的热量均匀地散布至待加工件。 | ||
| 申请公布号 | CN103681185B | 申请公布日期 | 2016.05.04 |
| 申请号 | CN201210316678.1 | 申请日期 | 2012.08.30 |
| 申请人 | 中微半导体设备（上海）有限公司 | 发明人 | 左涛涛;张亦涛;吴狄;周宁 |
| 分类号 | H01J37/20(2006.01)I;H01L21/683(2006.01)I;H01J37/32(2006.01)I | 主分类号 | H01J37/20(2006.01)I |
| 代理机构 | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人 | 张龙哺;冯志云 |
| 主权项 | 一种静电卡盘，用于等离子体处理装置中固定待加工件，该静电卡盘包括：第一绝缘层，用于承载所述待加工件；电极，位于所述第一绝缘层之中，用于连接一可控直流电源以产生静电力吸附待加工件；第二绝缘层，位于所述第一绝缘层的下方；加热器，设置于所述第二绝缘层内，所述加热器产生的热量能够通过所述第二绝缘层传递至所述第一绝缘层来加热所述待加工件；基体，位于所述第二绝缘层的下方，用于支撑所述第一绝缘层以及第二绝缘层；其特征在于，所述电极的厚度至少大于1mm，使所述第二绝缘层向所述第一绝缘层传递的热量均匀地散布至该待加工件。 | ||
| 地址 | 201201 上海市浦东新区金桥出口加工区（南区）泰华路188号 | ||