互连势垒结构和方法

摘要

提供了一种形成衬底通孔的系统和方法。实施例包括：在衬底中形成开口，以及通过第一势垒层内衬开口。利用导电材料填充开口，将第二势垒层形成为与导电材料相接触。利用与形成第二势垒层不同的材料和不同的形成方法形成第一势垒层，使得可以调整材料和方法，从而将器件内的有效性最大化。本发明还提供了一种互连势垒结构和方法。

主权项

一种半导体器件，包括：导电材料，从衬底的第一面延伸至所述衬底的第二面，所述导电材料与所述衬底的第二面共面；第一势垒层，位于所述导电材料和所述衬底之间，所述第一势垒层包含第一材料；第二势垒层，沿着所述衬底的所述第一面和所述导电材料设置所述第二势垒层，所述第二势垒层包含第二材料，所述第二材料与所述第一材料不同；以及第三势垒层，沿着所述衬底的所述第二面和所述导电材料设置所述第三势垒层，所述第三势垒层包含第三材料，所述第三材料与所述第一材料不同，其中，所述第一势垒层的第一阶梯覆盖大于所述第二势垒层的第二阶梯覆盖。