一种制备多尺度高γ相聚偏氟乙烯中空纳米线的方法

摘要

一种制备多尺度高γ相聚偏氟乙烯中空纳米线的方法，包括有以下步骤：1）首先在80℃的恒温热台上将1%～5%不同浓度的聚偏氟乙烯溶液旋转涂抹在多孔阳极氧化铝模板（氧化铝模板孔径范围为80～120nm）上使溶剂完全挥发；2）将溶剂完全挥发后的多孔阳极氧化铝模板转移至190℃～210℃的恒温热台熔融消除热历史，后迅速分别转移至160℃～170℃的恒温热台上培养8～14天至完全结晶；3)结晶完全后使用浓度为1-3mol/L氢氧化钠溶液将多孔阳极氧化铝模板完全蚀刻，用扫描电镜检测可观察到聚偏氟乙烯中空纳米线；使用红外光谱，X射线衍射，示差扫描量热仪等表征γ晶型，本发明工艺简单易行，操作方便，得到的中空纳米线比表面积大、在纳米管导线、多孔超滤膜，压电薄膜，生物医学，微电子器件方面都有广泛的应用前景。

主权项

一种制备多尺度高γ相聚偏氟乙烯中空纳米线的方法，其特征在于，包括有以下步骤：1）首先把浓度为1%～5%的聚偏氟乙烯溶液旋转涂抹在多孔阳极氧化铝模板上至溶剂完全挥发，加热到190～210℃，保温10min消除热历史，随后将熔体以50℃/min的速率迅速降温至160℃～170℃；2）在160℃～170℃的恒温热台上培养8～14天，使聚偏氟乙烯完全结晶；3）结晶完全后使用浓度为1‑3mol/L氢氧化钠溶液将多孔阳极氧化铝模板完全蚀刻。