低温多晶硅TFT阵列基板的制作方法及其结构

摘要

本发明提供一种低温多晶硅TFT阵列基板的制作方法及其结构。该方法通过自下而上依次沉积氧化硅层(71)、氮氧化硅层(72)、及氮化硅层(73)，得到包括氧化硅层(71)、氮氧化硅层(72)、及氮化硅层(73)共三层结构的层间绝缘层(70)，由于干法蚀刻和湿法蚀刻对氮氧化硅的蚀刻速率都是处于对氧化硅和的氮化硅蚀刻速率中间，在氧化硅层(71)与氮化硅层(73)之间加入一层氮氧化硅层(72)能够对蚀刻速率起到过渡缓冲作用，那么在层间绝缘层(70)通过干法蚀刻加湿法蚀刻形成过孔时便能够使得过孔的孔壁剖面呈平滑的坡状，防止层间绝缘层的过孔孔壁出现突出的尖角，从而避免源/漏极在过孔内发生断线。

主权项

一种低温多晶硅TFT阵列基板的制作方法，其特征在于，包括自下而上依次沉积氧化硅层(71)、氮氧化硅层(72)、及氮化硅层(73)，使所述氧化硅层(71)、氮氧化硅层(72)、及氮化硅层(73)共同组成层间绝缘层(70)的步骤，以及后续对所述层间绝缘层(70)先后进行干法蚀刻和湿法蚀刻形成过孔的步骤，使得过孔的孔壁剖面呈平滑的坡状。