| 发明名称 | 半导体结构及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体结构，包括：衬底，该衬底的上表面包括平面部分和具有倾斜表面的突起部分；缓冲层，位于衬底上表面的平面部分上；n-GaN层，位于缓冲层和衬底上表面的突起部分上，所述n-GaN层的上表面包括平整表面和V形坑。本发明还公开了一种半导体结构的制造方法。 | ||
| 申请公布号 | CN105552188A | 申请公布日期 | 2016.05.04 |
| 申请号 | CN201510940001.9 | 申请日期 | 2015.12.16 |
| 申请人 | 清华大学 | 发明人 | 汪莱;郝智彪;杨迪;罗毅 |
| 分类号 | H01L33/24(2010.01)I;H01L33/22(2010.01)I;H01L33/06(2010.01)I;H01L33/32(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/24(2010.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 吕雁葭 |
| 主权项 | 一种半导体结构，包括：衬底，该衬底的上表面包括平面部分和具有倾斜表面的突起部分；缓冲层，位于衬底上表面的平面部分上；n‑GaN层，位于缓冲层和衬底上表面的突起部分上，所述n‑GaN层的上表面包括平整表面和V形坑。 | ||
| 地址 | 100084 北京市海淀区清华园1号 | ||