| 发明名称 | 形成铁电存储器单元的方法及相关半导体装置结构 | ||
| 摘要 | 本发明揭示一种形成铁电存储器单元的方法。所述方法包括形成展现所要主要结晶取向的电极材料。在所述电极材料之上形成铪基材料且所述铪基材料经结晶以引发具有所要结晶取向的铁电材料的形成。本发明也描述额外方法，以及包含铁电材料的半导体装置结构。 | ||
| 申请公布号 | CN105556658A | 申请公布日期 | 2016.05.04 |
| 申请号 | CN201480049629.3 | 申请日期 | 2014.08.27 |
| 申请人 | 美光科技公司 | 发明人 | 陶谦;马修·N·洛克莱;贝丝·R·曲克;D·V·尼马尔·拉马斯瓦米 |
| 分类号 | H01L21/8247(2006.01)I;H01L27/115(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/8247(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人 | 路勇 |
| 主权项 | 一种形成铁电存储器单元的方法，其包括：形成展现所要主要结晶取向的电极材料；在所述电极材料之上形成铪基材料；及使所述铪基材料结晶以引发具有所要结晶取向的铁电材料的形成。 | ||
| 地址 | 美国爱达荷州 | ||