| 发明名称 | OH、OD含量低的熔凝氧化硅及其制备方法 | ||
| 摘要 | 一种OH、OD含量低的熔凝氧化硅及其制备方法，其中羟基(OH)和氘氧基(OD)的合并浓度小于10ppm，在一个实施方式中小于1ppm。所述熔凝氧化硅制品通过在含一氧化碳的无卤素气氛中干燥烟炱坯体形成。干燥烟炱坯体可任选掺杂，使熔凝氧化硅制品中的OH和OD浓度达到目标水平，并改善均匀性。然后，氧化和烧结所述干燥烟炱坯体，形成制品。本发明还描述了将OH和OD的合并浓度降至小于10ppm的方法。 | ||
| 申请公布号 | CN105541090A | 申请公布日期 | 2016.05.04 |
| 申请号 | CN201610132512.2 | 申请日期 | 2008.07.18 |
| 申请人 | 康宁股份有限公司 | 发明人 | R·R·赫拉帕孔;N·勒布隆;J·E·廷戈尔 |
| 分类号 | C03B19/14(2006.01)I;C03C3/06(2006.01)I | 主分类号 | C03B19/14(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 沙永生 |
| 主权项 | 一种熔凝氧化硅制品，所述熔凝氧化硅制品中OH和OD的平均合并浓度小于约10ppm，其中所述熔凝氧化硅制品通过以下步骤形成：a.提供由无卤环硅氧烷制得的烟炱坯体；b.在含一氧化碳的无卤素气氛中干燥所述烟炱坯体；c.氧化干燥的烟炱坯体；以及d.烧结所述坯体，形成熔凝氧化硅制品。 | ||
| 地址 | 美国纽约州 | ||