发明名称 一种中高介电常数微波介质陶瓷材料及其制备方法
摘要 本发明公开了一种中高介电常数微波介质陶瓷材料,包括陶瓷主相材料和助熔料,所述陶瓷主相材料包括按重量百分比计的如下组分:Li<sub>2</sub>O 15%~25%;MgO 10~25%;TiO<sub>2</sub> 20~70%;ZrO<sub>2</sub> 1~5%;La<sub>2</sub>O<sub>3</sub>余量;所述助熔料包括按重量百分比计的如下组分:BaO 5~10%;CuO 5~10%;B<sub>2</sub>O<sub>3</sub> 1~5%。该陶瓷材料的制备方法包括制作所述陶瓷主相材料与助熔料的研磨混合粉体并煅烧成研磨得到陶瓷材料的过程。本发明的中高介电常数微波介质陶瓷材料烧结温度低,性能稳定,制备工艺简单。
申请公布号 CN105541319A 申请公布日期 2016.05.04
申请号 CN201510920086.4 申请日期 2015.12.11
申请人 深圳顺络电子股份有限公司 发明人 苏柯铭;庞新锋;伍隽;李志龙;武明阳
分类号 C04B35/46(2006.01)I;C04B35/626(2006.01)I;C04B35/63(2006.01)I 主分类号 C04B35/46(2006.01)I
代理机构 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 代理人 王震宇
主权项 一种中高介电常数微波介质陶瓷材料,包括陶瓷主相材料和助熔料,其特征在于,所述陶瓷主相材料包括按重量百分比计的如下组分:<img file="FDA0000875579740000011.GIF" wi="722" he="495" />所述助熔料包括按重量百分比计的如下组分:BaO   5~10%;CuO   5~10%;B<sub>2</sub>O<sub>3</sub>   1~5%。
地址 518110 广东省深圳市宝安区观光路观澜大富苑顺络工业园