| 发明名称 | 一种在高COP硅单晶衬底上制备200mm-300mm低缺陷外延片的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种在高COP硅单晶衬底上制备200mm-300mm低缺陷外延片的方法，包括：(1)将高COP硅单晶衬底在纯氢气气氛中升温至800～850℃，保温5～10s；(2)然后升温至烘烤温度，将外延炉的保护气氛切换为氢气、氩气其中的一种或几种气氛，对上述硅单晶衬底进行烘烤；(3)将外延炉的保护气氛切换为纯氢气气氛，降温至外延生长工艺温度并保温；通入硅源气体，先在硅单晶衬底上生长本征外延层，随后通入硅源气体和掺杂气体，生长掺杂外延层即得。本发明工艺简单，成本低，利用外延炉对硅单晶衬底片进行短时间的高温烘烤使表面COP数量减少或消除，并结合特定的外延生长工艺控制技术，制备得到了低缺陷密度的硅外延片。 | ||
| 申请公布号 | CN105543951A | 申请公布日期 | 2016.05.04 |
| 申请号 | CN201610041286.7 | 申请日期 | 2016.01.21 |
| 申请人 | 浙江金瑞泓科技股份有限公司 | 发明人 | 梁兴勃;王震;陈华;李慎重;杨盛聪;邬幸富;田达晰 |
| 分类号 | C30B25/20(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I | 主分类号 | C30B25/20(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海泰能知识产权代理事务所 31233 | 代理人 | 黄志达 |
| 主权项 | 一种在高COP硅单晶衬底上制备200mm‑300mm低缺陷外延片的方法，包括：(1)将高COP硅单晶衬底置于外延炉的石墨基座中，在纯氢气气氛中升温至800～850℃，保温5～10s；(2)然后升温至烘烤温度，将外延炉的保护气氛切换为氢气、氩气其中的一种或几种气氛，对上述硅单晶衬底进行烘烤；其中，烘烤温度为1150～1200℃，烘烤时间为60～180s；(3)将外延炉的保护气氛切换为纯氢气气氛，降温至外延生长工艺温度并保温；通入硅源气体，先在硅单晶衬底上生长本征外延层，随后通入硅源气体和掺杂气体，生长掺杂外延层即得低缺陷外延片。 | ||
| 地址 | 315800 浙江省宁波市保税东区0125-3地块 | ||