用于OLED的多环苯基吡啶铱络合物及其衍生物

摘要

本发明涉及用于电子器件的金属络合物和涉及包含这些金属络合物尤其作为发光体的电子器件，特别是有机电致发光器件。所请求保护的化合物具有式：M(L)_n(L’)_m式(1)，其中通式(1)的化合物含有式(2)或式(3)的子结构M(L)_n，其中A在每种情况下相同或不同并且是下式(A)的基团。本发明还请求保护制备这种化合物的方法，所述方法中的一种通过实施例(I)示出。

主权项

式(1)的化合物M(L)_n(L’)_m式(1)其中通式(1)的化合物含有式(2)或式(3)的子结构M(L)_n：其中A在每种情况下相同或不同并且是下式(A)的基团：其中在式(A)中的虚线表示该基团的连接的位置并且使用的其它符号和标记如下：M是选自铱、铑、铂和钯的金属；X在每种情况下相同或不同并且是CR¹或N；Q在每种情况下相同或不同并且是R¹C＝CR¹、R¹C＝N、O、S、Se或NR¹；V在每种情况下相同或不同并且是O，S，Se或NR¹；Y在每种情况下相同或不同并且是单键或选自C(R¹)₂，C(＝O)，O，S，NR¹和BR¹的二价基团；R¹在每种情况下相同或不同并且是H，D，F，Cl，Br，I，N(R²)₂，CN，NO₂，Si(R²)₃，B(OR²)₂，C(＝O)R²，P(＝O)(R²)₂，S(＝O)R²，S(＝O)₂R²，OSO₂R²，具有1至40个碳原子的直链烷基、烷氧基或硫代烷氧基基团或者具有2至40个碳原子的直链烯基或炔基基团或者具有3至40个碳原子的支链或环状的烷基、烯基、炔基、烷氧基或硫代烷氧基基团，所述基团中的每个可被一个或多个R²基团取代，其中一个或多个非相邻CH₂基团可被R²C＝CR²、C≡C、Si(R²)₂、Ge(R²)₂、Sn(R²)₂、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NR²、P(＝O)(R²)、SO、SO₂、NR²、O、S或CONR²代替，并且其中一个或多个氢原子可被D、F、Cl、Br、I、CN或NO₂代替，或具有5至60个芳族环原子且在每种情况下可被一个或多个R²基团取代的芳族或杂芳族环系，或具有5至60个芳族环原子且可被一个或多个R²基团取代的芳氧基或杂芳氧基基团，或具有10至40个芳族环原子且可被一个或多个R²基团取代的二芳基氨基基团、二杂芳基氨基基团或芳基杂芳基氨基基团，或这些基团中的两种或更多种的组合；同时，两个或更多个R¹基团也可一起形成单环或多环的脂族、芳族和/或苯并稠合环系；R²在每种情况下相同或不同并且是H，D，F，Cl，Br，I，N(R³)₂，CN，NO₂，Si(R³)₃，B(OR³)₂，C(＝O)R³，P(＝O)(R³)₂，S(＝O)R³，S(＝O)₂R³，OSO₂R³，具有1至40个碳原子的直链烷基、烷氧基或硫代烷氧基基团或者具有2至40个碳原子的直链烯基或炔基基团或者具有3至40个碳原子的支链或环状的烷基、烯基、炔基、烷氧基或硫代烷氧基基团，所述基团中的每个可被一个或多个R³基团取代，其中一个或多个非相邻CH₂基团可被R³C＝CR³、C≡C、Si(R³)₂、Ge(R³)₂、Sn(R³)₂、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NR³、P(＝O)(R³)、SO、SO₂、NR³、O、S或CONR³代替，并且其中一个或多个氢原子可被D、F、Cl、Br、I、CN或NO₂代替，或具有5至60个芳族环原子且在每种情况下可被一个或多个R³基团取代的芳族或杂芳族环系，或具有5至60个芳族环原子且可被一个或多个R³基团取代的芳氧基或杂芳氧基基团，或具有10至40个芳族环原子且可被一个或多个R³基团取代的二芳基氨基基团、二杂芳基氨基基团或芳基杂芳基氨基基团，或这些基团中的两种或更多种的组合；同时，两个或更多个相邻的R²基团可一起形成单环或多环的脂族、芳族和/或苯并稠合环系；R³在每种情况下相同或不同并且是H，D，F，或者具有1至20个碳原子的脂族、芳族和/或杂芳族烃基基团，其中，一个或多个氢原子也可以被F代替；同时，两个或更多个R³取代基也可一起形成单环或多环的脂族、芳族和/或苯并稠合环系；L’在每种情况下相同或不同并且是共配体；当M是铱或铑时n是1、2或3，当M是铂或钯时n是1或2；m是0、1、2、3或4；a、b、c在每种情况下相同或不同并且是0或1，其中a＝0或b＝0或c＝0是指各自的Y基团不存在，而是R¹基团在每种情况下与相应的碳原子键合，条件是a+b+c≥2；同时，两个或更多个配体L也可以通过任何桥连基Z彼此连接或L也可以通过任何桥连基Z连接至L’，由此形成三齿、四齿、五齿或六齿配体体系。