Ein Leistungshalbleitermodul mit einem Direct Copper Bonded Substrat und einem integrierten passiven Bauelement und ein integriertes Leistungsmodul

摘要

Ein Leistungshalbleitermodul umfassend ein Direct Copper Bonded (DCB) Substrat, umfassend ein Keramiksubstrat, eine erste an die erste Hauptoberfläche des Keramiksubstrats gebondete Kupfermetallisierung und eine zweite an die zweite Hauptoberfläche des Keramiksubstrats gegenüber der ersten Hauptoberfläche gebondete Kupfermetallisierung; Das Leistungshalbleitermodul umfasst weiterhin einen mit der ersten Kupfermetallisierung verbundenen Leistungshalbleiterchip, ein mit der ersten Kupfermetallisierung verbundenes passives Bauelement, eine erste Isolationsschicht, welche den Leistungshalbleiterchip und ein passives Bauelement einkapselt, eine erste strukturierte Metallisierungsschicht auf der ersten Isolationsschicht und eine erste Mehrzahl elektrischer Leiterbohrungen, die sich durch die erste Isolationsschicht aus der ersten Metallisierungsschicht zum Leistungshalbleiterchip und dem passiven Bauelement erstrecken. Ein integriertes Leistungsmodul und ein Verfahren zur Herstellung des integrierten Leistungsmoduls werden ebenfalls bereitgestellt.