高场强度变阻器材料

摘要

本发明涉及高场强度变阻器材料。本发明涉及用于具有250～400V/mm的目标切换场强度的电涌放电器的变阻器材料，其包括形成ZnO相的ZnO和形成颗粒间氧化铋相的表示为Bi₂O₃的Bi，所述变阻器材料进一步包括尖晶石相，其特征在于该变阻器材料中包含的烧绿石相的量使得该烧绿石相与该尖晶石相之比小于0.15∶1。

主权项

用于电涌放电器的变阻器材料，包括形成ZnO相的ZnO和形成颗粒间氧化铋相的表示为Bi₂O₃的Bi，所述变阻器材料进一步包括尖晶石相，其特征在于所述变阻器材料中包含的烧绿石相的量使得所述烧绿石相与所述尖晶石相之比小于0.15∶1，并且所述变阻器材料包含尖晶石形成组分的混合物，所述组分包括分别表示为MnO₂、CoO、NiO和Cr₂O₃的Mn、Co、Ni和Cr，和任选的表示为SiO₂的Si，所述SiO₂的量小于0.05mol％。