| 发明名称 | 一种氧化物薄膜、含有该薄膜的晶体管及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明属于半导体器件领域，提供一种氧化物薄膜，其为Ba-Zn-Sn-O氧化物薄膜，氧化物中各元素的摩尔比为Ba：Zn:Sn=0.4～0.6:1.8～2.2:2。本发明还提供含有所述氧化物薄膜的晶体管及其制备方法。采用基于Ba-Zn-Sn-O的氧化物薄膜沟道层，可以增强氧化物薄膜沟道层对于载流子形成的控制能力，提高开关比，显著增加迁移率，优化亚阈值斜率，在保证薄膜晶体管的可靠性和电学特性基础上，使得薄膜晶体管的氧化物薄膜沟道层有更广泛的材料选择范围。 | ||
| 申请公布号 | CN103762227B | 申请公布日期 | 2016.05.04 |
| 申请号 | CN201410031240.8 | 申请日期 | 2014.01.22 |
| 申请人 | 北京大学 | 发明人 | 康晋锋;贡献;喻韵璇;刘冬;刘晓彦;韩德栋 |
| 分类号 | H01L29/10(2006.01)I;H01L29/24(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I;H01L21/34(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/10(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人 | 王文君 |
| 主权项 | 一种含有氧化物薄膜的晶体管，所述氧化物薄膜为Ba‑Zn‑Sn‑O氧化物薄膜，氧化物中各元素的摩尔比为Ba：Zn: Sn= 0.4~0.6:1.8~2.2:2 ；所述晶体管通过以下步骤制备而得：用金属或导电氧化物制备导电薄膜，采用溶胶凝胶法制备氧化物薄膜沟道层，用气相沉积、或磁控溅射、或原子层沉积方法制备栅极绝缘层，通过刻蚀使所述导电薄膜部分形成栅电极、部分形成源极区和漏极区；其中，采用溶胶凝胶法制备所述氧化物薄膜沟道层，包括步骤：选择氯化钡，氯化锡和乙酸锌化合物作为前驱体，在乙二醇甲醚中将所述前驱体按照摩尔比例混合，温度30‑60℃下搅拌15分钟到1小时，直至在溶液中形成稳定的透明溶胶体系，将该溶胶通过旋涂方法沉积在基底上，空气氛围中放置于110‑140℃下热处理10‑30min。 | ||
| 地址 | 100871 北京市海淀区颐和园路5号 | ||