沟槽隔离结构及其形成方法

摘要

本发明一实施例提供一种沟槽隔离结构及其形成方法，该方法包括：提供一基板；在基板中形成一沟槽；在沟槽中顺应性地形成一第一绝缘层覆盖沟槽；在第一绝缘层上顺应性地形成一氮化物衬层；在氮化物衬层上形成一第二绝缘层，且填满沟槽；蚀刻第二绝缘层，使得第二绝缘层的上表面低于或等于基板的上表面；以及在第二绝缘层上形成一第三绝缘层覆盖第二绝缘层，其与第一绝缘层、氮化物衬层及第二绝缘层形成一沟槽隔离结构。本发明的沟槽隔离结构及其形成方法，能避免在沟槽隔离结构中形成空隙，可降低漏电流的发生。

主权项

一种沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，该沟槽隔离结构的形成方法包括：提供一基板；在该基板中形成一沟槽；在该沟槽中顺应性地形成一第一绝缘层覆盖该沟槽；在该第一绝缘层上顺应性地形成一氮化物衬层；在该氮化物衬层上形成一第二绝缘层，且填满该沟槽；蚀刻该第二绝缘层，使得该第二绝缘层的上表面低于或等于该基板的上表面；以及在该第二绝缘层上形成一第三绝缘层覆盖第二绝缘层，其与该第一绝缘层、该氮化物衬层及该第二绝缘层形成一沟槽隔离结构。