用于多孔介电材料的自修复工艺

摘要

本发明涉及制造用于半导体器件应用的自修复介电材料的结构和方法。在衬底上沉积多孔介电材料，并且暴露于处理剂颗粒中从而使得该处理剂颗粒扩散进入该介电材料中。在介电材料之上形成密集的无孔覆盖以将处理剂颗粒封装在介电材料内。然后对介电材料实施工艺形成对该介电材料的损伤。在处理剂颗粒和损伤之间引发化学反应，以修复损伤。由化学反应消耗处理剂颗粒而形成的梯度浓度促使处理剂颗粒朝着介电材料的损伤区域连续扩散，从而连续修复损伤。本发明提供用于多孔介电材料的自修复工艺。

主权项

一种制造自修复低k介电材料的方法，包括：在衬底上形成介电材料；使所述介电材料暴露于处理剂颗粒中从而使得所述处理剂颗粒扩散进入所述介电材料中；在所述介电材料之上形成覆盖材料以将所述处理剂颗粒封装在所述介电材料内；在所述介电材料的损伤区域内形成损伤，包括所述介电材料的电参数的衰退；以及引发所述处理剂颗粒和所述损伤区域之间的反应以恢复所述电参数到初始值。