| 发明名称 | MEMS电容式超声波传感器及其制备方法 | ||
| 摘要 | 一种MEMS电容式超声波传感器及其制备方法，该MEMS电容式超声波传感器，包括：一玻璃衬底，该玻璃衬底的中间为下凹的空腔，在该空腔的两侧上分别开有凹槽；一下电极，其制作在玻璃衬底下凹的空腔底部；一顶层硅，其制作在玻璃衬底上，且覆盖在空腔上，该顶层硅13为振动膜；一上电极，其制作在顶层硅的下表面，且位于空腔的上方，与下电极对应；一保护层，其制作在玻璃衬底两侧的凹槽内，且覆盖顶层硅和玻璃衬底，该凹槽内的保护层内还开有一窗口；其中该上引出电极和下引出电极分别与上电极和下电极连接。本发明可减小寄生电容和提高传感器的灵敏度。 | ||
| 申请公布号 | CN105540528A | 申请公布日期 | 2016.05.04 |
| 申请号 | CN201510921394.9 | 申请日期 | 2015.12.14 |
| 申请人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明人 | 王小青;宁瑾;俞育德;魏清泉;刘文文;刘元杰;蒋莉娟 |
| 分类号 | B81B3/00(2006.01)I;B81C3/00(2006.01)I;G01H11/06(2006.01)I | 主分类号 | B81B3/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 任岩 |
| 主权项 | 一种MEMS电容式超声波传感器，包括：一玻璃衬底，该玻璃衬底的中间为下凹的空腔，在该空腔的两侧上分别开有凹槽；一下电极，其制作在玻璃衬底下凹的空腔底部；一顶层硅，其制作在玻璃衬底上，且覆盖在空腔上，该顶层硅13为振动膜；一上电极，其制作在顶层硅的下表面，且位于空腔的上方，与下电极对应；一保护层，其制作在玻璃衬底两侧的凹槽内，且覆盖顶层硅和玻璃衬底，该凹槽内的保护层内还开有一窗口；其中该上引出电极和下引出电极分别与上电极和下电极连接。 | ||
| 地址 | 100083 北京市海淀区清华东路甲35号 | ||