| 发明名称 | 一种紫外激光光刻方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种紫外激光光刻方法，包括提供待光刻半导体晶圆，对所述半导体晶圆涂覆光刻胶；采用紫外激光发生器对所述半导体晶圆进行曝光，其中，所述紫外激光发生器出射紫外激光的路径上具有聚光镜组，从而可以通过调节紫光激光的能量和大小，进而可以采用尽可能高的能量和尽可能小的激光点进行曝光，以满足更快速、更高精度、更高成像质量的光刻要求。 | ||
| 申请公布号 | CN105549342A | 申请公布日期 | 2016.05.04 |
| 申请号 | CN201610128594.3 | 申请日期 | 2016.03.08 |
| 申请人 | 佛山市国星半导体技术有限公司 | 发明人 | 谭振贤;何键云 |
| 分类号 | G03F7/20(2006.01)I | 主分类号 | G03F7/20(2006.01)I |
| 代理机构 | 代理人 | ||
| 主权项 | 一种紫外激光光刻方法，其特征在于，包括：提供待光刻半导体晶圆，对所述半导体晶圆涂覆光刻胶；采用紫外激光发生器对所述半导体晶圆进行曝光，其中，所述紫外激光发生器出射紫外激光的路径上具有聚光镜组，以通过聚光镜组来形成高能量的紫外激光点。 | ||
| 地址 | 528226 广东省佛山市南海区狮山镇罗村朗沙广东新光源产业基地内光明大道18号 | ||