摘要 |
método para fabricar um transistor. um método para fabricar um transistor inclui prover um substrato incluindo, em ordem, uma camada de material eletricamente condutor e uma camada de material eletricamente isolante; depositar uma camada de material de revestimento protetor sobre a camada de material eletricamente isolante; padronizar a camada de material de revestiento protetor para expor uma porção da camada de material eletricamente isolante; remover a camada de material eletricamente isolante exposta para expor uma porção da camada de material eletricamente condutor; remover a camada de material eletricamente condutor; remover a a camada de material eletricamente condutor e na camada de material eletricamente isolante; revestir conformacionalmente o susbstrato e as camadas de material expostas com uma segunda camada de material eletricamente isolante; revestir conformacionalmente a segunda camada de material eletricamente isolante com uma camada de material semicondutor; e depositar direcionalmente uma camada de material eletricamente condutor sobre a camada de material semicondutor. |