发明名称 método para fabricar um transistor
摘要 método para fabricar um transistor. um método para fabricar um transistor inclui prover um substrato incluindo, em ordem, uma camada de material eletricamente condutor e uma camada de material eletricamente isolante; depositar uma camada de material de revestimento protetor sobre a camada de material eletricamente isolante; padronizar a camada de material de revestiento protetor para expor uma porção da camada de material eletricamente isolante; remover a camada de material eletricamente isolante exposta para expor uma porção da camada de material eletricamente condutor; remover a camada de material eletricamente condutor; remover a a camada de material eletricamente condutor e na camada de material eletricamente isolante; revestir conformacionalmente o susbstrato e as camadas de material expostas com uma segunda camada de material eletricamente isolante; revestir conformacionalmente a segunda camada de material eletricamente isolante com uma camada de material semicondutor; e depositar direcionalmente uma camada de material eletricamente condutor sobre a camada de material semicondutor.
申请公布号 BR112012019898(A2) 申请公布日期 2016.05.03
申请号 BR20121119898 申请日期 2011.02.23
申请人 EASTMAN KODAK COMPANY 发明人 LEE WILLIAM TUTT;SHELBY FORRESTER NELSON
分类号 H01L21/336;H01L29/786 主分类号 H01L21/336
代理机构 代理人
主权项
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