| 摘要 |
[과제] 염기성 과산화수소 수용액에 대한 내성을 갖는 레지스트 하층막을 이용한 패턴형성방법을 제공한다. [해결수단] 표면에 무기막이 형성될 수도 있는 반도체 기판 상에, 중량평균 분자량 1000 내지 100000의 에폭시기를 갖는 폴리머 및 용제를 포함하는 레지스트 하층막 형성 조성물을 도포하고, 베이크하여 레지스트 하층막을 형성하는 제1 공정, 상기 레지스트 하층막 상에 레지스트 패턴을 형성하는 제2 공정, 상기 레지스트 패턴을 마스크로 하여 상기 레지스트 하층막을 드라이에칭하고, 상기 무기막 또는 상기 반도체 기판의 표면을 노출시키는 제3 공정, 그리고 드라이에칭 후의 상기 레지스트 하층막을 마스크로 하고, 염기성 과산화수소 수용액을 이용하여 상기 무기막 또는 상기 반도체 기판을 웨트에칭하는 제4 공정을 포함하는 패턴형성방법. |
