| 摘要 |
제 1 전극과, 상기 제 1 전극에 대향하여 배치되고, 피처리체를 배치하는 제 2 전극을 가지는 처리실을 구비한 기판 처리 장치를 이용하여, 피처리체를 에칭하는 에칭 방법이 제공된다. 이 에칭 방법은, 제 1 폴리머 및 제 2 폴리머를 포함하는 블록 코폴리머가 상분리되어 상기 제 1 폴리머 및 상기 제 2 폴리머의 패턴이 형성된 피처리체를, 처리 가스의 플라즈마에 의해 10 ℃ 이하의 온도로 에칭하여, 상기 제 1 폴리머 및 상기 제 2 폴리머 중 적어도 일방의 폴리머를 제거하는 공정을 포함한다. |
