| 摘要 |
박막 트랜지스터의 출력 특성 및 트랜스퍼 특성을 개선시킬 수 있는 본 발명의 일 측면에 따른 박막 트랜지스터 기판은, 기판 상에 형성된 하부 게이트 전극; 상기 하부 게이트 전극 상에 형성된 액티브층; 상기 액티브층 상에 형성된 소스 전극 및 드레인 전극; 및 상기 소스 전극 및 드레인 전극에 의해 정의되는 채널영역을 커버하도록 상기 소스 전극, 드레인 전극, 및 액티브층 상에 형성된 상부 게이트 전극을 포함하는 박막 트랜지스터와, 상기 하부 게이트 전극과 상기 상부 게이트 전극을 전기적으로 연결시키는 컨택부를 포함하는 것을 특징으로 한다. |
