| 摘要 |
본 발명은 TSV 충전용 도금액 및 이를 이용한 TSV 내의 도금층 돌출 억제방법에 관한 것으로, 고열에 의해 실리콘 기판과 TSV 충전 도금층의 열팽창 계수 차이에서 발생할 수 있는 충전 도금층의 돌출을 억제하기 위해, TSV 충전용 구리 도금액에 열팽창 계수가 낮은 실리콘 카바이드와 같은 물질을 첨가하여 TSV 충전용 도금액을 제조하고, 이 도금액에 전류차단 시간이 적용된 주기적인 펄스 및 역펄스의 전류를 인가하여 TSV 내에 도금층을 형성함으로써, 반도체 제조 중 고열 공정에서 발생되는 TSV 충전 도금층의 돌출을 억제하여 반도체 칩의 손상을 방지하면서도 TSV 내부에 보이드 등의 결함없이 상향식 충전을 달성할 수 있다. |
