发明名称 MOS DEVICES WITH STRAIN BUFFER LAYER AND METHODS OF FORMING THE SAME
摘要 디바이스가 기판, 상기 기판 내로 연장하는 절연 영역, 및 상기 절연 영역들의 상단부 표면들 보다 더 높은 반도체 핀을 포함한다. 반도체 핀은 제1 격자 상수를 가진다. 반도체 영역은 반도체 핀의 대향면들 상의 측벽 부분들, 및 반도체 핀 위의 상단부 부분을 포함한다. 상기 반도체 영역은 상기 제1 격자 상수와 상이한 제2 격자 상수를 가진다. 스트레인 버퍼 층이 반도체 핀과 반도체 영역 사이에 위치되고 접촉된다. 스트레인 버퍼 층이 산화물을 포함한다.
申请公布号 KR101617498(B1) 申请公布日期 2016.05.02
申请号 KR20130096447 申请日期 2013.08.14
申请人 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드 发明人 후앙 유-리엔;이 퉁 잉;첸 충-시엔;리우 치-웬
分类号 H01L21/336;H01L29/78 主分类号 H01L21/336
代理机构 代理人
主权项
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