| 发明名称 |
磊晶矽晶圆的制造方法以及磊晶矽晶圆 |
| 摘要 |
明提供一种周缘部的平坦度高的磊晶矽晶圆的制造方法、以及藉由该方法而获得的磊晶矽晶圆。该磊晶矽晶圆的制造方法的特征在于：在正面23的面方位为(100)面或(110)面、且正面23侧的端部的倒角宽度A1为200μm以下的矽晶圆2的正面23上形成磊晶层3。
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| 申请公布号 |
TWI531692 |
申请公布日期 |
2016.05.01 |
| 申请号 |
TW102127355 |
申请日期 |
2013.07.31 |
| 申请人 |
胜高股份有限公司 |
发明人 |
楢原和宏;増田纯久 |
| 分类号 |
C30B29/06(2006.01);H01L21/205(2006.01) |
主分类号 |
C30B29/06(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
詹铭文 |
| 主权项 |
一种磊晶矽晶圆的制造方法，其特征在于：在一面的面方位为(100)面或(110)面、且上述一面侧的端部的倒角宽度为200μm以下的矽晶圆的上述一面上形成磊晶层，其中上述矽晶圆的中心部的上述磊晶层的膜厚为2μm~10μm。
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| 地址 |
日本 |
